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MX29LV160BT/BB
自动排屑擦除命令
芯片擦除是六总线周期操作。有两种
＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写周期。这些后面是写
＆ QUOT ;建立＆ QUOT ;命令80H 。两个＆ QUOT ;解锁＆ QUOT ;写赛扬
克莱斯再其次是芯片擦除命令10H进行。
该设备不要求系统能够完全预
程序之前执行自动芯片擦除。
当执行自动芯片擦除，设备
自动编程和验证整个内存
对于一个全零的数据模式。当该装置是自动
matically验证，以包含一个全零的图案，一个自
定时芯片擦除和校验开始。擦除和验证
操作完成时，在Q7的数据是"1"在
而此时设备返回到读取模式。该
系统不需要提供任何控制或定时
在这些操作过程。
当使用自动芯片擦除算法，记
该擦除自动终止充足时，
擦除余量已经实现对存储器阵列
（无需擦除验证指令） 。
如果擦除操作是不成功的，在数据
Q5是"1" （见表8 ），表明该擦除操作
超过内部时序限制。
自动擦除开始上的上升沿
最后WE或CE脉搏，率先在任何情况
命令序列和终止时，或者在数据
上Q7是"1" ，此时该装置返回到
阅读模式或Q6的数据停止切换两
连续的读周期，此时该装置再
转动到读模式。
化时， RY / BY引脚保持一个"0" （繁忙），直到跨
纳尔复位操作完成，这需要的时
TREADY （嵌入式算法期间） 。该系统可
因而监控RY / BY ，以确定是否复位OP-
关合作完成。如果RESET是断言，当一家亲
克或擦除操作的时间内完成
TREADY （而不是在嵌入式算法） 。该系
TEM可以RESET引脚返回后读取数据TRH
VIH 。
请参考RESET交流特性表
参数和图22的时序图。
读/复位命令
通过写入的启动的读或复位操作
读/复位命令序列进入命令稳压
存器。微处理器读周期获取数组数据。
该设备仍然启用了读，直到命令
寄存器的内容被改变。
如果程序出现故障或擦除失败发生， F0H的写操作
重置设备中止操作。一个有效的COM
命令必须被写入到将设备中的
理想状态。
硅ID读命令
闪存被用于在应用中使用
本地CPU改变存储器的内容。因此，制造
商和设备代码必须是可访问的时
设备驻留在目标系统。 PROM编程
聚体通常通过提高A9访问特征码
高电压（VID） 。然而，复高电压
年龄到地址线通常不希望的系统
设计实践。
该MX29LV160BT / BB含有硅-ID- OP-阅读
关合作，以矫健的传统PROM编程甲
odology 。通过写入读出开始的操作
硅ID命令序列到命令寄存器
之三。以下的命令写入，读出周期与
A1 = VIL ， A0 = VIL检索C2H的制造商代码/
00C2H 。读周期与A1 = VIL ， A0 = VIH返回
C4H / 22C4H的MX29LV160BT设备代码， 49H /
2249H的MX29LV160BB 。
该系统必须写入复位命令退出
"Silicon - ID读Command"代码。
P / N ： PM1041
REV 。 1.2 ，七月01 ，2004
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