0.6
1000
T
j
= 25 °C
0.5
P
D
，功耗（ W）
0.4
C
T
，总电容（PF ）
100
V
R
= 1V
0.3
0.2
V
R
= 2V
0.1
10
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功耗与环境温度
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 2总电容VS额定齐纳电压
1000
0.6
0.5
I
Z
= 1.0毫安
P
D
，功耗（ W）
100
0.4
0.3
10
0.2
0.1
1
1
10
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 3齐纳电压 - 齐纳阻抗
100
0
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功耗与环境温度
50
30
T
j
= 25°C
5V6
6V8
T
j
= 25°C
10
12
40
I
Z
，齐纳电流（毫安）
8V2
I
Z
，齐纳电流（毫安）
20
测试电流I
Z
15
额定齐纳电压
30
18
20
10
22
27
33
36
39
10
测试电流I
Z
20mA
0
0
1
3
4
5
6
8
9
7
V
Z
齐纳电压（V）
图。 5齐纳击穿特性
2
10
0
0
10
20
30
V
Z
齐纳电压（V）
图。 6齐纳击穿特性
40
DS18010启示录7 - 2
3 3
www.diodes.com
MMSZ5221B - MMSZ5259B
