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MMBZ5221ELT1系列
电气特性
（续）
（引脚说明： 1 ，阳极， 2 - NC ， 3阴极） （V
F
= 0.9 V最大@我
F
= 10 mA，对于所有类型）。
齐纳电压
（注5 ）
设备
记号
BH6
BH7
V
Z
(V)
民
22.80
23.75
喃
24
25
最大
25.20
26.25
@ I
ZT
mA
5.2
5
齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
W
33
35
Z
ZK
@ I
ZK
W
600
600
mA
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
mA
0.1
0.1
V
18
19
设备
MMBZ5252ELT1*
MMBZ5253ELT1,T3
MMBZ5254ELT1,T3
MMBZ5255ELT1,T3
MMBZ5256ELT1,T3
BH8
BH9
BJ1
25.65
26.60
28.50
27
28
30
28.35
29.40
31.50
4.6
4.5
4.2
41
44
49
600
600
600
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
21
21
23
MMBZ5257ELT1,T3
MMBZ5258ELT1,T3
MMBZ5262ELT1,T3
MMBZ5263ELT1,T3
MMBZ5265ELT1
BJ2
BJ3
BJ7
BJ8
BK1
31.35
34.20
48.45
53.20
58.90
33
36
51
56
62
34.65
37.80
53.55
58.80
65.10
3.8
3.4
2.5
2.2
2
58
70
125
150
185
700
700
1100
1300
1400
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
25
27
37
43
47
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择和
最佳的整体价值。
5.齐纳电压的测量用脉冲测试电流I
Z
在25 ℃的环境温度下进行。
*不可在10,0000 /磁带&卷轴。
http://onsemi.com
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