*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
注：关于典型参数值可以在摩托罗拉的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
*对于两端的电压，交换机将丢弃大于1.2 V（上开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。
该装置的可靠性将不会受到影响，除非该最大额定值被超过。
最大额定值*
摩托罗拉
DC电气特性
数字部分（电压参考GND ）， VEE = GND除非另有说明
推荐工作条件
MC74HC4316
符号
符号
符号
VCC
VEE
TSTG
VIS
VIO *
VCC
VIN
VEE
PD
TL
TR ， TF
VIS
VIN
ICC
TA
VIH
VIL
I
IIN
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
储存温度
在静止空气中的功耗
直流电流流入或流出的任何引脚
DC输入电压（参考到GND）
模拟输入电压
负直流电源电压（参考到GND）
正直流电源电压
输入上升和下降时间
（控制或使能输入）
（图10 ）
工作温度，所有封装类型
在开关的静态或动态电压
数字输入电压（参考到GND）
模拟输入电压
负直流电源电压（参考到GND）
正直流电源电压（参考到GND）
最大静态电源
电流（每包）
最大输入漏
当前，控制或启用
输入
最大低电平电压，
控制或使能输入
最小高电平电压，
控制或使能输入
参数
参数
参数
塑料DIP
SOIC封装
VIN = VCC或GND
VIO = 0 V
VIN = VCC或GND
VEE = - 6.0 V
罗恩=每规格
罗恩=每规格
（参考到GND）
（参考至VEE ）
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
测试条件
- 1.5 VCC + 1.5
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 14.0
- 65至+ 150
- 7.0 + 0.5
VEE - 0.5
至VCC + 0.5
2
VEE = GND
VEE = - 6.0
GND
– 6.0
VEE
– 55
民
2.0
—
价值
0
0
0
±
25
260
750
500
+ 125
GND
1000
500
400
VCC
VCC
最大
1.2
6.0
VCC
V
6.0
6.0
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
单位
单位
mW
mA
_
C
_
C
_
C
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
V
- 55
25
_
C
±
0.1
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
2
8
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
I / O引脚都必须连接到一个
正确端接线路或公交车。
保证限额
v
85
_
C
v
125
_
C
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
±
1.0
1.5
3.15
4.2
0.3
0.9
1.2
20
80
v
±
1.0
1.5
3.15
4.2
40
160
0.3
0.9
1.2
v
单位
A
A
V
V
