最大额定值*
符号
VCC
VEE
VIS
VIN
I
参数
价值
单位
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考VEE ）
- 0.5 + 7.0
- 0.5 + 14.0
- 7.0 + 5.0
VEE - 0.5
VCC + 0.5
±
25
750
500
450
负直流电源电压（参考GND）
模拟输入电压
数字输入电压（参考GND）
直流电流，流入或流出的任何引脚
- 0.5 VCC + 0.5
mA
PD
功率消耗在静止空气中，塑料或陶瓷DIP
SOIC封装
TSSOP封装
存储温度范围
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
300
MC54 / 74HC4051 MC74HC4052 MC54 / 74HC4053
该器件包含保护
电路，以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是，必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压，这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作， Vin和
Vout的应该限制于
范围GND （VIN或Vout）外部VCC 。
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平（例如， GND或VCC） 。
未使用的输出必须悬空。
v
v
_
C
_
C
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
塑料DIP ， SOIC和TSSOP封装
陶瓷DIP
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
陶瓷DIP ： - 10毫瓦/
_
c从100
_
到125
_
C
SOIC封装： - 7毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
TSSOP封装： - 6.1毫瓦/
_
C来自65
_
到125
_
C
对于高频率或高负载事项，请参阅摩托罗拉高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
VCC
VEE
VIS
VIN
参数
民
2.0
2.0
最大
单位
V
V
V
V
V
正直流电源电压
（参考GND）
（参考VEE ）
6.0
12.0
负直流电源电压，输出（参考
GND ）
模拟输入电压
– 6.0
VEE
GND
VCC
VCC
1.2
数字输入电压（参考GND）
在开关的静态或动态电压
GND
VIO *
TA
工作温度范围，所有封装类型
输入的上升/下降时间
（通道选择或使能输入）
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_
C
ns
TR ， TF
VCC = 2.0 V
VCC = 4.5 V
VCC = 6.0 V
*对于压降大于1.2V开关更大（开关） ， VCC过大电流可能
绘制;即，电流从开关可同时含有VCC和开关的输入组件。该
该设备的可靠性将受到影响，除非最大额定值超出。
高速CMOS逻辑数据
DL129 - 第六版
3
摩托罗拉
