PD - 90497F
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
部分编号R
DS （ ON）
IRFM9240
0.51
I
D
-11A
IRFM9240
JANTX2N7237
JANTXV2N7237
JANS2N7237
REF ： MIL -PRF-五百九十五分之一万九千五
200V ， P- CHANNEL
HEXFET
MOSFET技术
HEXFET
MOSFET技术的关键在于国际
IR的先进线路的功率MOSFET晶体管。该
高效的几何设计实现的状态非常低电阻
tance结合高跨导。
HEXFET
转录
电阻取值也配备了所有的既定优势
MOSFET的诸如电压控制的，非常快速的切换，
易于并联和电参数的温度
稳定。它们非常适合用于诸如开关
荷兰国际集团的电源，电机控制，逆变器，砍砸器，
音频放大器，高能量脉冲电路，而且几乎
在需要高可靠性的应用程序。该
HEXFET
晶体管的完全隔离封装消除了
需要用于设备之间的附加绝缘材料
和散热器。这提高了热效率和
降低了漏极电容。
TO-254AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
动态的dv / dt额定值
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = -10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
-11
-7.0
-44
125
1.0
±20
500
-11
12.5
-5.0
-55到150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
g
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
www.irf.com
1
11/18/02
