数据
数据
初步
片
片
硅晶体管
2SA1977
PNP外延硅晶体管
微波放大器
特点
包装尺寸（单位：毫米）
_
2.8+0.2
0.4
+0.1
–0.05
高F
T
f
T
= 8.5 GHz的典型。
高增益
| S
21e
| = 12.0分贝TYP 。 @f = 1.0千兆赫，V
CE
=
8
V，I
C
=
20
mA
2
1.5
0.65
+0.1
–0.15
0.95
相当于NPN晶体管是2SC3583 。
_
2.9+0.2
高速开关characterstics
2
0.95
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CB0
V
CE0
V
EB0
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
20
12
3.0
50
200
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1.1至1.4
0.3
记号
0.16
+0.1
–0.06
电气特性（T
A
= 25
°
C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
集电极电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CB0
I
EB0
h
FE
f
T
C
re
*
| S
21e
|
NF
2
引脚连接
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家标记; T92
测试条件
V
CB
=
10
V
V
EB
=
1
V
V
CE
=
8
V，I
C
=
20
mA
V
CE
=
8
V，I
C
=
20
毫安， F = 1 GHz的
V
CB
=
10
V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
=
8
V，I
C
=
20
毫安， F = 1.0 GHz的
V
CE
=
8
V，I
C
=
3
毫安， F = 1 GHz的
分钟。
典型值。
0-0.1
马克斯。
0.1
0.1
0.4
+0.1
–0.05
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
1
3
单位
A
A
20
6.0
8.5
0.5
8.0
12.0
1.5
100
GHz的
1
pF
dB
3
dB
* Mesured由一个三端的桥梁。发射器和外壳应连接到保护终端。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
FB
T92
20至100
一号文件P10925EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
