位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第260页 > IDT79RC64V475200DP > IDT79RC64V475200DP PDF资料 > IDT79RC64V475200DP PDF资料2第14页
RC64474 RC64475
DC电气特性
商业级温度范围， RC64474 / 64475
(V
CC
= 3.3
±
5
%, T
例
= 0°C至+ 85°C ）
RC64474/RC64475
180MHz
最低
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
IL
V
IH
I
IN
C
IN
C
OUT
I / O
泄漏
—
V
CC
- 0.1V
—
2.4V
–0.5V
2.0V
—
—
—
—
最大
0.1V
—
0.4V
—
0.2V
CC
V
CC
+ 0.5V
±10uA
10pF
10pF
20uA
RC64474/RC64475
200MHz
最低
—
V
CC
- 0.1V
—
2.4V
–0.5V
0.7V
CC
—
—
—
—
最大
0.1V
—
0.4V
—
0.2V
CC
V
CC
+ 0.5V
±10uA
10pF
10pF
20uA
RC64474/RC64475
250MHz
最低
—
V
CC
- 0.1V
—
2.4V
–0.5V
2.0V
—
—
—
—
最大
0.1V
—
0.4V
—
0.2V
CC
V
CC
+ 0.5V
±10uA
10pF
10pF
20uA
—
—
0
≤
V
IN
≤
V
CC
—
—
输入/输出泄漏
|I
OUT
| = 4毫安
|I
OUT
| =的20uA
参数
条件
功耗 - RC64474
.
参数
系统条件：
I
CC
待机
RC64474 180MHz的
典型
180/90MHz
—
—
530毫安
2
630mA
2
60毫安
2
110毫安
2
630毫安
2
750毫安
2
1
RC64474 200MHz的
典型
200/100MHz
—
—
600mA
2
700毫安
2
60毫安
2
110毫安
2
700毫安
2
850毫安
2
1
RC64474 250MHz的
典型
1
最大
最大
最大
—
百毫安
2
110毫安
2
850mA
2
1000mA
2
条件
250/125MHz
—
—
700毫安
2
850mA
2
C
L
= 0pF
3
C
L
= 50pF的
C
L
= 0pF
没有任何的SysAD活动
3
C
L
= 50pF的
R4x00兼容的写入，
T
C
= 25
o
C
C
L
= 50pF的
流水线写或写
再发行，
T
C
= 25
o
C
3
活跃
750毫安
2
1050毫安
4
850毫安
2
1200毫安
4
1000mA
2
1400mA
2
1.
2.
典型的整数指令结构，缓存命中率
这些未经测试。它们是工程分析的结果，并提供了用于参考
3.
通过设计保证。
4.
这些都是规范IDT测试，以确保合规性。
14 25
2001年4月10日
