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IDT72021 ， IDT72031 ， IDT72041
CMOS异步FIFO与重传1K ×9 ， 2K ×9 ， 4K ×9
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
V
CC
D
3
D
8
D
5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
D32-1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
D
4
D
5
D
6
D
7
W
指数
V
CC
D
4
W
D
8
D
3
D
2
4 3 2
D
2
D
1
D
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
1
32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
D
6
D
7
D
1
D
0
XI
AEF
FF
Q
0
Q
1
Q
2
J32-1
FL
/
RT
RS
OE
EF
XO
/
HF
Q
7
Q
6
XI
AEF
FF
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
8
FL
/
RT
RS
OE
EF
XO
/
HF
Q
7
Q
6
Q
5
Q
4
14 15 16 17 18 19 20
R
GND
2677 DRW 02
Q
3
Q
8
GND
GND
Q
4
Q
5
R
GND
2677 DRW 03
PLCC顶视图
DIP顶视图
引脚说明
符号
D
0
–D
8
名字
输入
RESET
I / O
I
I
数据输入9位宽度的数据。
当
RS
被设置为低，内部读和写指针被设置为RAM的第一位置
数组。
HF
和
FF
变为高电平，并且
AEF
和
EF
变低。最初的写操作之前，需要进行重置
上电后。
R
和
W
必须在高
RS
周期。
当写为低时，数据可被写入RAM阵列顺序的，独立的
READ 。为了写活跃，
FF
必须为高电平。当FIFO已满（
FF
-LOW ）
在内部写操作被阻塞。
当读为低电平时，数据可以从RAM阵列的顺序读取，独立
WRITE 。为了读取被激活，
EF
必须为高电平。当FIFO是空的（
EF
-LOW ）
内部的读操作将被阻止。三态输出缓冲器被读出的控制
信号和外部输出控制
（ OE
).
描述
RS
W
R
FL
/
RT
写
I
读
I
首先加载/
重发
I
这是一个双重目的的输入。在单个设备的配置（
XI
接地） ，激活
重传（
FL
/
RT
-LOW ）将内部读指针设定在第一位置。有没有效果
在写指针。
R
和
W
必须设置前高
FL
/
RT
低。重发不
随着深度的扩展兼容。在深度扩展配置，
FL
/
RT
-LOW指示
第一激活的装置。
在单个设备的配置，
XI
被接地。在深度扩展或菊花链的扩张，
XI
被连接到
XO
以前的设备（扩展出） 。
XI
OE
扩张
OUTPUT ENABLE
I
I
当
OE
设为高电平时，通过三态输出缓冲器中的数据流被抑制，无论
一个有效的读操作。的读操作确实增加在这种情况下，读指针。
当
OE
置为低电平，Q
0
-Q
8
仍处于高阻抗状态，如果没有发生读取。为
与上出现的Q数据的完整读操作
0
-Q
8
，这两个
R
和
OE
要断言
低。
当
FF
变为低电平时，器件的全面和进一步的写操作被禁止。当
FF
为高电平时，该装置是不完整的。
当
EF
变为低电平，该装置是空的，并进一步读操作被禁止。当
EF
为高电平时，该装置不空。
当
AEF
为低电平时，器件是空至1/8满或7/8至全满。当
AEF
高，
该装置是大于1/8满，但小于7/8满。
FF
EF
AEF
XO
/
HF
满标志
空标志
几乎空/
几乎满标志
扩展输出/
半满标志
O
O
O
O
这是一个双重目的的输出。在单个设备的配置（
XI
接地） ，该装置是
超过一半满时
HF
为LOW 。在深度扩展配置（
XO
连接到
XI
下一个设备）的一个脉冲，从发送
XO
to
XI
当RAM阵列中的最后一个单元是
科幻LLED 。
数据输出为9位宽度的数据。
2677 TBL 01
Q
0
–Q
8
输出
O
5.09
2
