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IDT70V659/58/57S
高速3.3V 64分之128 / 32K ×36异步双端口静态RAM
工业和商业温度范围
建议的直流工作
与V条件
DDQ
在2.5V
符号
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
IH
V
IH
V
IL
参数
核心供电电压
I / O电源电压
(3)
地
输入高电压
(3)
（地址&控制输入）
输入高电压 - I / O
(3)
输入低电压
分钟。
3.15
2.4
0
1.7
1.7
-0.5
(1)
典型值。
3.3
2.5
0
____
建议的直流工作
与V条件
DDQ
在3.3V
单位
V
V
V
V
V
V
4869 TBL 06
马克斯。
3.45
2.6
0
V
DDQ
+ 100mV的
(2)
V
DDQ
+ 100mV的
(2)
0.7
符号
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
IH
V
IH
V
IL
参数
核心供电电压
I / O电源电压
(3)
地
输入高电压
（地址&控制输入）
(3)
输入高电压 - I / O
(3)
输入低电压
分钟。
3.15
3.15
0
2.0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
3.3
0
____
马克斯。
3.45
3.45
0
V
DDQ
+ 150mV的
(2)
V
DDQ
+ 150mV的
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
4869 TBL 07
____
____
____
____
注意事项：
1. V
IL >
-1.5V脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
TERM
一定不能超过V
DDQ
+ 100mV的。
3.要选择在2.5V电平的给定端口上的输入/输出和控制操作，
OPT销用于该端口必须被设定为V
SS
（0V） ，而V
DDQX
该端口必须是
提供如上所示。
注意事项：
1. V
IL >
-1.5V脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
TERM
一定不能超过V
DDQ
+ 150mV的。
3.要选择在3.3V的水平给定的端口上的I / O和控制操作，
OPT销用于该端口必须被设定为V
DD
（3.3V ）和V
DDQX
该端口必须是
提供如上所示。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
(2)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
Z
） PQFP ONLY
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10.5
单位
pF
pF
4869 TBL 08
最大工作
温度和电源电压
(1)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
V
DD
3.3V
+
150mV
3.3V
+
150mV
4869 TBL 04
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. C
OUT
还引用
I / O
.
注意：
1.这是参数TA 。这是"instant on"外壳温度。
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
(V
DD
)
T
BIAS
T
英镑
T
JN
(3)
等级
V
DD
端电压
相对于GND
在偏置温度
储存温度
结温
广告
＆放大器;产业
-0.5 + 4.6
-55到+125
-65到+150
+150
50
40
单位
V
o
o
o
C
C
C
I
OUT
（对于V
DDQ
= 3.3V ）直流输出电流
I
OUT
（对于V
DDQ
= 2.5V ）直流输出电流
mA
mA
4869 TBL 05
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 150mV的对循环时间的25％以上
或4ns的最大值，并且限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
DD
+ 150mV的。
3.环境温度下的直流偏置。没有交流的条件。芯片取消。
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