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HYB 39S64400 / 800 / 160BT （ L）
64兆位同步DRAM
64兆位同步DRAM
高性能：
多种突发读与写单
手术
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
自动和控制预充电
命令
数据模板的读/写控制（ X4，X8 ）
数据掩码字节控制（ X16 ）
自动刷新（ CBR）和自刷新
挂起模式和掉电模式
4096刷新周期/ 64毫秒
随机列地址每CLK
（ 1 -N规则）
3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL接口
塑料包装：
P- TSOPII - 54 400mil宽度（ X4，X8 ， X16 ）
-7.5版本PC133 3-3-3应用
-8版本PC100 2-2-2应用
-7.5
-8
125
8
6
10
6
f
CKMAX
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
133
7.5
5.4
10
6
完全同步的时钟上升沿
= 0至70
°C
工作温度
四家银行通过BA0和放大器的控制; BA1
可编程CAS延时： 2,3
可编程的缠绕顺序：顺序
或交织
可编程突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8
全页（可选）连续包
周围
该HYB 39S64400 / 800 / 160BT四个银行同步DRAM的组织结构
4银行
×
4MBit
×4,
4银行
×
2兆位
×8
4银行
×
1兆位
×16
分别。这些synchron-
OU的设备实现高速数据传输速率通过采用芯片架构，省长
多个位，然后输出数据同步到系统时钟。该芯片采用制造
英飞凌先进的0.2
m
64兆位DRAM制程技术。
该装置设计，以符合同步DRAM产品设置的所有JEDEC标准，
在电气上和机械上。所有的控制，地址，数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作四个存储体交错的方式允许随机存取操作发生
在更高的利率可能比标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率
可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件的工作，有
采用3.3 V单
±
0.3 V电源供电，在TSOPII封装。
数据手册
1
12.99
