从哈里斯半导体数据表收购
SCHS195
CD74HC670,
CD74HCT670
高速CMOS逻辑器件
4×4寄存器文件
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
1998年1月
特点
同时和独立的读写
操作
可扩展到512个字n位
三态输出
组织为4字× 4位宽
缓冲输入
典型读取时间为16ns内的CD74HC670 V
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25
o
C
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
[ /标题
(CD74H
C670,
CD74H
CT670)
/主题
（高
速度
CMOS
逻辑
4×4稳压
存器
描述
哈里斯CD74HC670和CD74HCT670是16位的寄存器
文件组织成4个字×4位的每一个。读取和写入
解决和使能输入允许同时写入到一个
位置而读另一回事。设置四个数据输入
存储4位的字。写地址输入（ WA0和
WA1 ）决定在寄存器中存储的字的位置。
当写使能（WE ）是低字被输入到
地址位置，它仍然是透明的数据。该
输出将反映输入数据的真实形态。当（WE）
在高数据和地址输入被禁止。数据采集
从四个寄存器使得可以由读出地址
输入（ RA1和RA0 ） 。被寻址的字出现在
输出时，读使能（RE）是低的。的输出是在
当（ RE），高阻抗状态是高。输出可
系在一起，以增加字长为512 ×4位。
订购信息
引脚
CD74HC670 ， CD74HCT670
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
D1 1
D2 2
D3 3
RA1 4
RA0 5
Q3 6
Q2 7
GND 8
16 V
CC
15 D0
14 WA0
13 WA1
12我们
11 RE
10 Q0
9 Q1
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1998年哈里斯公司
网络文件编号
1660.1
1
