BSI
WRITE循环2
(1,6)
BS62LV256
t
WC
地址
t
CW
(5)
(11)
CE
t
WE
AW
t
WP
(2)
t
AS
(4,10)
t
DH
t
WHZ
D
OUT
(7)
(8)
t
DW
t
DH
(8,9)
D
IN
注意事项：
1.我们必须在地址转换高。
2.存储器的内部写入时间由CE的重叠定义和WE低。所有信号
必须主动发起写的任何一个信号可以通过将非活动结束写入。
的数据输入的设置和保持时间应参考的第二过渡边缘
因此终止了写入的信号。
3. T
WR
从CE的早期测定或WE变高，在写周期的结束。
4.在这期间， DQ引脚处于输出状态，使反相器的输入信号
到输出必须不被应用。
5.如果同时出现在我们的负跳变或WE之后， CE低过渡
过渡，输出保持在高阻抗状态。
6. OE连续低（ OE = V
IL
).
7.
D
OUT
是这个写周期写入数据的相位相同。
8. D
OUT
是下一个地址的读数据。
9.如果CE为低，在此期间， DQ引脚的输出状态。的，则数据输入信号
相位相反的输出不能被应用于它们。
10.转换测量
±
为500mV从稳定状态用C
L
= 5pF的，如图1B所示。
该参数是保证，但不是100 ％测试。
11. T
CW
从CE后期会低到写结束时开始算起。
R0201-BS62LV256
7
修订版2.2
2001年4月
