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2005年2月
AS7C3364PFD32B
AS7C3364PFD36B
3.3V 64K X 32/36管道爆裂的同步SRAM
特点
组织： 65,536字× 32或36位
快速的时钟速度为200 MHz的
快速时钟到数据存取： 3.0 / 3.5 / 4.0纳秒
快速OE访问时间： 3.0 / 3.5 / 4.0纳秒
完全同步寄存器到寄存器操作
双循环取消
异步输出使能控制
可提供100引脚TQFP封装
线性或交错突发控制
单个字节的写入和全局写
贪睡模式，降低功耗，待机
常见的数据输入和数据输出
多芯片能够很容易地扩展
3.3V内核电源
2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
DDQ
逻辑框图
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[15:0]
16
CLK
CE
CLR
D
CE
地址
注册
CLK
D
Q0
突发的逻辑
Q1
16
Q
14
16
64K × 32/36
内存
ARRAY
GWE
BWE
BW
d
DQ
d
Q
字节写
注册
CLK
DQ
c
Q
字节写
注册
CLK
DQ
b
Q
字节写
注册
CLK
DQ
a
Q
字节写
注册
CLK
D
启用
CE
注册
CLK
动力
下
D
启用
Q
延迟
注册
CLK
Q
D
D
D
36/32
36/32
BW
c
BW
b
BW
a
CE0
CE1
CE2
4
OE
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
ZZ
OE
36/32
DQ [ A：D ]
选购指南
–200
最小周期时间
最大时钟频率
最大时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
5
200
3.0
375
130
30
–166
6
166
3.5
350
100
30
–133
7.5
133
4
325
90
30
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
1/31/05; v.1.1
半导体联盟
19 P. 1
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