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2005年4月
AS7C33512NTD32A
AS7C33512NTD36A
3.3V 512K × 32/36流水线SRAM与NTD
TM
特点
组织： 524,288字× 32或36位
新台币
架构，高效的总线操作
快速的时钟速度为166 MHz的
快速时钟到数据存取： 3.4 / 3.8纳秒
快速OE访问时间： 3.4 / 3.8纳秒
完全同步操作
异步输出使能控制
可提供100引脚TQFP封装
单个字节的写入和全局写
时钟使能保持操作
多芯片能够很容易地扩展
3.3V内核电源
2.5V或3.3V的I /带独立V O操作
DDQ
自定时写周期
交错式或线性突发模式
贪睡模式，待机操作
逻辑框图
A[18:0]
19
D
地址
注册
突发的逻辑
Q
19
CLK
CE0
CE1
CE2
读/写
BWA
BWB
BWC
BWD
ADV / LD
LBO
ZZ
D
Q
19
写入延迟
地址。注册
CLK
控制
逻辑
CLK
写缓冲器
CLK
512K X 32/36
SRAM
ARRAY
DQ [A，B ， C，D ]
32/36
D
数据
Q
输入
注册
CLK
32/36
32/36
32/36
32/36
CLK
CEN
CLK
OE
产量
注册
32/36
OE
DQ [A，B ， C，D ]
选购指南
-166
最小周期时间
最大时钟频率
最大时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
6
166
3.4
300
90
60
-133
7.5
133
3.8
275
80
60
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
4/21/05, v 2.8
半导体联盟
18 P. 1
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