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AS7C332MNTD18A
功能说明
该AS7C332MNTD18A家庭组织成一个高性能CMOS 32兆位同步静态随机存取存储器（ SRAM ）
2,097,152字× 18位，并采用了晚晚写。
32MB的同步SRAM的这种变化采用了无周转时间（ NTD
）架构，具有增强型写入操作
这在流水线突发设备提高了带宽。在一个正常的流水线脉冲串装置，写入数据，命令和地址都
施加到器件上的相同的时钟沿。如果读命令如下这样写命令时，系统必须等待两个“死”周期
有效的数据变为可用。这些死循环可显著降低应用的总体带宽要求随机存取或
读 - 修改 - 写操作。
新台币
设备使用的存储器总线更有效地通过引入一个写延迟相匹配的双循环流水线或一个周期
流过读取延迟。写入的数据被应用于两个周期后的写命令和地址，允许读取管道疏通。同
新台币
写和读操作可以用任何顺序，而不产生死总线周期。
断言R / W的低执行写周期。字节写使能控制写访问特定的字节数，或者可连接低整整18位的写操作。
写使能信号，以及写地址，被登记在时钟的上升沿。写数据被施加到器件上的两个时钟
周期后。不像某些异步SRAM ，输出使能OE不需要进行切换写操作;它可连接低
正常操作。输出变为高阻抗状态时，该设备被去选择任何三个芯片的使能输入。在流水线
模式， 2个周期的延迟取消允许挂起的读或写操作完成。
用ADV （突发提前）输入来执行突发读取，写入和取消操作。当ADV为高电平时，外部地址，芯片选择，读/写
引脚被忽略，内部地址计数器递增的LBO控制指定的计数序列。任何设备的操作，包括
爆了，可以使用CEN = 1停滞不前，时钟使能输入。
该AS7C332MNTD18A与设备核心3.3V ± 5 ％电源供电（V
DD
） 。 DQ的电路使用一个独立的电源
(V
DDQ
） ，经营横跨3.3V或2.5V的范围。这些器件采用100引脚TQFP封装。
TQFP电容
参数
输入电容
I / O容量
*
保证未测试
符号
C
以*
C
I / O *
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
TQFP封装热阻
描述
热阻
（结到环境）
1
热阻
（结到外壳顶部的）
1
1 ，该参数被采样
条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51
1–layer
4–layer
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JC
典型
40
22
8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
12/23/04, V 1.6
半导体联盟
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