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2005年2月
AS7C252MPFS18A
2.5V 2M
×
18流水线突发同步SRAM
特点
组织： 2,097,152字× 18位
快速的时钟速度为200 MHz的
快速时钟到数据存取： 3.1 / 3.5 / 3.8纳秒
快速OE访问时间： 3.1 / 3.5 / 3.8纳秒
完全同步寄存器到寄存器操作
单周期解选
异步输出使能控制
可提供100引脚TQFP封装
单个字节的写入和全局写
多芯片能够很容易地扩展
2.5V内核电源
线性或交错突发控制
贪睡模式，降低功耗，待机
常见的数据输入和数据输出
逻辑框图
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[20:0]
CLK
CS
CLR
突发的逻辑
Q
21
CS
地址
D
21
19 21
2M ×18
内存
ARRAY
18
18
注册
CLK
GWE
BW
b
BWE
BW
a
CE0
CE1
CE2
D
DQB
Q
CLK
D
DQA
Q
字节写
注册
字节写
CLK
D
注册
2
OE
启用
Q
注册
CE
CLK
ZZ
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
动力
下
D
启用
Q
延迟
注册
CLK
OE
18
DQ [ A，B]
选购指南
最小周期时间
最大时钟频率
最大的流水线时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
-200
5
200
3.1
450
170
90
-166
6
166
3.5
400
150
90
-133
7.5
133
3.8
350
140
90
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
2/14/05, v.1.3
半导体联盟
1 18
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