位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第579页 > AS7C251MNTD36A-200TQIN > AS7C251MNTD36A-200TQIN PDF资料 > AS7C251MNTD36A-200TQIN PDF资料1第1页
2005年1月
AS7C251MNTD32A
AS7C251MNTD36A
2.5V 1M × 32/36流水线SRAM与NTD
TM
特点
组织： 1,048,576字× 32位或36位
NTD
架构，高效的总线操作
快速的时钟速度为200 MHz的
快速时钟到数据存取： 3.2 / 3.5 / 3.8纳秒
快速OE访问时间： 3.2 / 3.5 / 3.8纳秒
完全同步操作
流水线模式
常见的数据输入和数据输出
异步输出使能控制
逻辑框图
A[19:0]
20
D
提供100引脚TQFP封装
字节写使能
时钟使能保持操作
多芯片能够很容易地扩展
2.5V核心供电
自定时写周期
交错或线性脉冲模式
贪睡模式，待机操作
地址
注册
突发的逻辑
Q
20
CLK
CE0
CE1
CE2
读/写
BWA
BWB
BWC
BWD
ADV / LD
LBO
ZZ
D
Q
20
写入延迟
地址。注册
CLK
控制
逻辑
CLK
写缓冲器
CLK
1米x 32/36
SRAM
ARRAY
DQ [A，B ， C，D ]
32/36
D
数据
Q
输入
注册
CLK
32/36
32/36
32/36
32/36
CLK
CEN
CLK
OE
产量
注册
32/36
OE
DQ [A，B ， C，D ]
选购指南
-200
最小周期时间
最大时钟频率
最大时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
1/17/05, V 1.2
-166
6
166
3.5
400
150
90
-133
7.5
133
3.8
350
140
90
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
18 P. 1
5
200
3.2
450
170
90
半导体联盟
版权所有联半导体公司。版权所有。
