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初步
Am29DL800B
8兆位（ 1一M× 8位/ 512的K× 16位）
CMOS 3.0伏只，同时操作闪存
特色鲜明
s
同时读/写操作
- 主机系统可以进行编程或擦除在一家银行，
然后立即和同时从读
其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
- 同时读 - 擦除
- 同时读程序
s
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
s
在0.35微米制程技术制造的
- 兼容0.5微米Am29DL800设备
s
高性能
- 存取时间快70纳秒
s
低电流消耗（典型值
在5 MHz ）
- 7毫安有效的读电流
- 21毫安主动读，而节目或阅读，在─
擦除电流
- 17毫安活动的程序，而擦除悬
当前
- 200 nA的待机模式
- 200 nA的自动睡眠模式
- 标准的T
CE
芯片使能访问时间适用于
从自动睡眠模式，以积极的转变
模式
s
灵活的部门架构
- 两个16千字，两个8千字，四4千字，并
在字模式14 32千字行业
- 两个32字节， 2字节16 ，四个8字节，并
14 64字节扇区的字节模式
- 任何部门的结合可以被删除
- 支持整片擦除
s
解锁绕道程序命令
降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令序列
s
扇区保护
- 硬件锁定的扇区，以防止方法
在任何编程或擦除操作
扇形
- 扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
预先计划和擦除扇区或整个芯片
- 嵌入式程序算法自动
在指定地址的程序和数据验证
s
最低百万编程/擦除周期
每个扇区保证
s
封装选项
- 44引脚SO
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
s
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
s
数据＃查询和翻转位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除周期完成
s
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 硬件检测方法的程序或
擦除周期结束
s
擦除暂停/删除恢复
- 暂停或重新开始擦除扇区，使
阅读和编程其他部门
- 无需暂停，如果部门是在其他银行
s
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件设备重置为方法
读阵列数据
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
21519
启：
A
Amendment/+3
发行日期：
1998年4月
