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的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。请参阅“字/字节配置”了解IN-
形成。
该器件具有一个
解锁绕道
模式设施
射孔更快的编程。一旦银行进入解锁
旁路模式下，只有两个写入周期所需的亲
克，而不是四个一个字或字节。在“字节/字
程序命令序列“部分有详细
同时使用标准的编程数据到设备和
解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。该装置
地址空间被分成两个组：组1 CON-
包括作为开机/参数领域，以及银行2包含
规模较大，行业代码，大小均匀。 “银行AD-
礼服“是必需的唯一选择一个地址位
银行。类似地，一个“扇区地址”是地址位
需要唯一地选择一个扇区。
如果系统写入自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。指的是自选模式，并自动选择
命令序列部分以获取更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。交流
特色部分包含时序规格TA-
统计局和时序图写操作。
图19显示了如何读取和写入周期可能IN-
itiated进行同步操作零延迟。
I
CC6
我
CC7
在DC特性表代表
目前规格为读而程序和
读而擦除，分别。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机状态，但
待机电流将更大。该设备要求
标准访问时间（t
CE
）进行读访问时，
设备是在这两种待机模式，它是前
准备读取数据。
该设备还进入待机模式时， RE-
SET ＃被拉低。请参阅下一节“ RE-
SET ＃ ：硬件复位引脚“ 。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。该设备将自动启用
当地址保持稳定吨这种模式
加
+ 30
纳秒。自动睡眠模式是独立的
CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制信号。标准地址
时序进入时提供的地址是新数据
改变了。而在睡眠模式下，输出数据被锁存
并始终可用的系统。我
CC4
在直流
特性表代表了自动休眠
模式电流规范。
同时读/写操作与
零延迟
此装置能够读取数据从一个存储体
存储器，而在其它编程或擦除
记忆库。擦除操作还可以是可持
从挂起或程序到另一个位置来读取
同一银行内（除行业被擦除） 。
Am29DL400B
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