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公元40 4M 4 2 V S A - 5
ASCEND
半导体
EDO / FPM
D- RAMBUS
DDRSDRAM
DDRSGRAM
SGRAM
SDRAM
:
:
:
:
:
:
40
41
42
43
46
48
密度
16M
： 16兆比特
8M
： 8兆比特
4M
： 4兆比特
2M
： 2兆比特
1M
： 1兆比特
组织
4:
x4
8
: x8
9
: x9
16
: x16
18
: x18
32
: x32
刷新
1
: 1K
8
: 8K
2
: 2K
6
:16K
4
: 4K
最小周期时间（最大频率）。
-5
：为5ns （ 200MHz的）
-6
：为6ns （ 167MHz ）
-7
：为7ns （ 143MHz下）
-75
： 7.5ns （ 133MHz的）
-8
：为8ns （ 125MHz的）
-10
：为10ns （ 100MHz时）
EDO ：
-5 （ 50纳秒）
-6 （ 60纳秒）
调整
A :
1st
B :
2nd
C :
3rd
D： 4
接口
V:
3.3V
R:
2.5V
包
C:
CSP
B:
UBGA
T:
TSOP
Q:
TQFP
P:
PQFP （ QFP ）
L:
LQFP
S:
SOJ
Rev.1
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