WS57C43C
高速4K
x
8 CMOS PROM / RPROM
主要特点
超快速存取时间
— t
加
= 25纳秒
— t
CS
= 12 ns的
引脚兼容4K ×8双极PROM中
免疫闭锁
- 高达200 mA的
低功耗
快速编程
ESD保护超过2000 V
可在300英里DIP和PLDCC
概述
该WS57C43C是一个高性能32K紫外线可擦电重新可编程只读存储器
（ RPROM ） 。它是在先进的CMOS技术，这使得它在双极PROM的操作制
速度，而功耗仅为25 ％，其双极型晶体管所需的功率。的另一个优点
WS57C43C过双极PROM器件是，它采用了成熟的EPROM技术的事实。这使
整个存储器阵列进行组装后的切换特性和功能进行测试。不像它的设备
不能被擦除，在窗口包每WS5743C是100％测试了最坏情况的测试模式都
之前和组装后。
该WS57C43C配置在标准双极PROM引脚排列这为提供了一种简便的升级途径
这是目前使用双极PROM的，或者它的前身， WS57C43B系统。
框图
EPROM阵列
引脚配置
顶视图
7
A5 - A11
ROW
地址
ROW
解码器
芯片载体
32,768 BITS
CERDIP /塑料DIP
NC
A
5
A
6
A
7
5
A0 - A4
COLUMN
地址
V
CC
A
8
A
9
COLUMN
解码器
SENSE
放大器器
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
CS1 / V
PP
4 3 2
28 27 26
1
5
25
6
24
7
23
8
22
9
21
10
20
11
19
12 13 14 15 16 17 18
O
1
O
2
NC
3
O
4
O
5
A
7
A
6
A
5
A
10
A
4
CS1/V
PP
A
3
A
11
A
2
CS2
A
1
NC
A
0
O
7
O
0
O
6
O
1
O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
A10
CS1/V
PP
A
11
CS2
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
CS2
GND
8
输出
产品选择指南
参数
地址访问时间（最大值）
CS到输出有效时间（最大值）
57C43C-25
25纳秒
12纳秒
57C43C-35
35纳秒
20纳秒
57C43C-45
45纳秒
25纳秒
57C43C-55
55纳秒
25纳秒
57C43C-70
70纳秒
25纳秒
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