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AS4C256K16FO
写周期
标准
符号
t
ASC
t
CAH
t
AWR
t
WCS
t
WCH
t
WCR
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
DHR
–25
参数
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址保持时间RAS
写命令设置时间
写命令保持时间
写命令保持时间RAS
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据的建立时间
数据保持时间
数据保持时间为RAS
民
0
5
19
0
5
19
5
7
5
0
5
19
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–30
民
0
5
26
0
5
26
5
10
10
0
5
26
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
5
28
0
5
28
5
11
11
0
5
28
–35
民
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0
9
30
0
9
30
9
12
12
0
9
30
–50
民
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
11
11
笔记
读 - 修改 - 写周期
标准
符号
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
–25
参数
读 - 写周期时间
RAS以拖延时间
CAS以拖延时间
列地址来拖延时间
民
100
34
17
21
7
15
最大
–
–
–
–
–
–
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–30
民
100
50
26
32
10
15
最大
–
–
–
–
–
–
–35
民
105
54
28
35
10
15
最大
–
–
–
–
–
–
–50
民
120
60
30
40
12
15
最大
–
–
–
–
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11
笔记
t
RSH （W）的
CAS到RAS保持时间（写）
t
CAS （ W）
CAS脉冲宽度（写）
快速页模式周期
标准
符号
t
PC
t
帽
t
CP
t
PCM
t
CRW
t
RASP
–25
参数
读或写周期时间
从CAS预充电时间访问
CAS预充电时间
快速页模式，RMW周期
页模式CAS脉冲宽度（ RMW ）
RAS脉冲宽度
民
8
–
3
56
44
25
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， GND = 0V ，T
a
= 0 ° C至+ 70 ° C）
–30
民
12
–
3
56
44
30
最大
–
19
–
–
–
75K
–
14
–
–
–
75K
14
–
4
58
46
35
–35
民
最大
–
21
–
–
–
75K
25
–
5
60
50
50
–50
民
最大
–
23
–
–
–
75K
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
14
13
最大
4/11/01; V.0.9.1
半导体联盟
25第5页
