PD78F4216A ， 78F4218A ， 78F4216AY ， 78F4218AY
Flash存储器编程特性（V
DD
= AV
DD
= 1.9 5.5 V ，V
SS
= AV
SS
= 0 V, V
PP
= 9.7
至10.3 V）
（ 2）串行写操作的特征
参数
V
PP
建立时间
V
PP
↑
设置时间到V
DD
↑
RESET ↑建立时间， V
PP
↑
V
PP
从计数复位启动时间↑
算执行时间
V
PP
反高电平宽度
V
PP
反低电平宽度
V
PP
反噪声消除宽度
符号
t
PSRON
t
DRPSR
t
PSRRF
t
RFCF
t
算
t
CH
t
CL
t
NFW
8.0
8.0
40
条件
V
PP
高压
V
PP
高压
V
PP
高压
分钟。
1.0
10
1.0
1.0
1.0
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
ms
s
s
ns
闪存的写入模式设置时序
V
DD
V
DD
0V
V
PPH
V
PP
V
PP
V
PPL
t
PSRON
t
PSRRF
t
算
V
DD
RESET （输入）
0V
t
CL
t
DRPSR
t
RFCF
t
CH
46
数据表U14125EJ1V0DS00
