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PD75P036
CMOS设备的注释
（ 1 ） ESD防护措施用于半导体
注意：
强电场，当暴露于一个MOS器件，可引起破坏
栅氧化层和最终影响设备的运行。步骤必须
采取停止产生静电尽可能，并迅速
消散一次，发生时。环境控制必须是
足够。如果空气干燥，应当使用增湿器。建议
避免使用绝缘体，因为它们容易产生静电。半导体
设备必须存储并在防静电容器运送，静
屏蔽袋或导电材料。所有的测试和测量工具，包括
工作台和地面应接地。操作者应接地
使用腕带。半导体器件不能用裸感动
手。类似的预防措施需要采取的PW板与半导体
在它的设备。
（ 2 ）办理未使用的输入引脚的CMOS
注意：
对于CMOS设备的输入端未连接可导致误操作。如果没有
连接被设置到输入引脚，它可能是一个内部输入
lelvel可能由于噪声等产生的，因此，引起误动作。 CMOS
设备的操作特性与Bipolar或NMOS设备。 CMOS的输入电平
设备必须是固定的高或低的通过使用上拉或下拉电路。
每一个未使用引脚应连接到VDD或GND之间的电阻，如果是
考虑到具有作为一个输出管脚的可能性。所有相关的处理
对未使用的引脚必须由设备和相关规范来判断设备
执政的设备。
（ 3 ）初始化之前的状态的MOS器件
注意：
上电，并不一定限定MOS器件的初始状态。生产
MOS的方法不限定该装置的初始操作状态。
紧接之后的电源被接通时，具有复位装置
功能还没有被初始化。因此上电不能保证
外引脚的电平， I / O设置和寄存器的内容。设备未初始化
直到复位信号被接收。复位操作必须立即执行
上电后具有复位功能的设备。
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