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PD75P036
3.2程序存储器写程序
程序存储器的写操作步骤如下。高速程序存储器写操作是可能的。
（ 1 ）将未使用的引脚到V
SS
通过下拉电阻。 X1引脚必须为低。
（ 2 ）供应5 V到V
DD
和V
PP
销。
（ 3 ）等待10
s.
（ 4 ）设置程序内存地址0明确的模式。
（ 5 ）供应6 V至V
DD
引脚和12.5 V到V
PP
引脚。
（ 6 ）设置程序禁止模式。
（ 7 ）写在1 ms的数据写入模式。
（ 8 ）设置程序禁止模式。
（ 9 ）设置验证模式。如果数据被写入connectly ，请转至步骤（ 10 ） 。如果数据还没有被写入，
重复步骤（7） （9） 。
（10）写为（的次数数据写入（Ⅹ）中的步骤（7） （9））倍的附加数据
1毫秒。
（11 ）设置禁止编程模式。
（ 12 ）提供一个脉冲X1引脚四次1更新程序存储器地址。
（13）重复步骤（ 7） （12）的最后一个地址。
（ 14 ）设置程序内存地址0明确的模式。
（ 15 ）改变V的电压
DD
和V
PP
引脚5 V.
（ 16 ）关闭电源。
被步骤（2） （12）如下所示。
X次重复
另外
数据写入
地址
增量
写
VERIFY
V
PP
V
PP
V
DD
V
DD
+1
V
DD
V
DD
X1
P40-P43
P50-P53
数据输入
数据
产量
数据输入
MD0
(P30)
MD1
(P31)
MD2
(P32)
MD3
(P33)
20
