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数据表
MOS集成电路
PD44165084 ， 44165184 ， 44165364
18M位QDR
TM
II SRAM
4字突发操作
描述
该
PD44165084是2,097,152字×8位的
PD44165184是1,048,576字由18位和
PD44165364是制造与先进的CMOS一个524,288字由36位同步四倍数据速率静态RAM
技术使用全CMOS六晶体管存储器单元。
该
PD44165084,
PD44165184及
PD44165364集成了独特的同步外围电路和一个
突发计数器。由输入时钟对控制的所有的输入寄存器（K和/ K）被锁存K上的正边缘和
/K.
这些产品适合于应用程序，需要同步操作，高速，低电压，高
密度和宽位配置。
这些产品被包装在165引脚塑料BGA 。
特点
1.8 ±0.1 V电源和HSTL I / O
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来频率缩放
分开独立的读写并发交易数据端口
100％的总线利用率的DDR读写操作
四剔爆，可降低频率地址
两个输入时钟（K和/ K ）用于精确DDR定时，只有时钟上升沿
精确的飞行时间两个输出时钟（C和/ C ）
和时钟歪斜匹配时钟和数据一起传送到接收设备
内部自定时写控制
时钟停止与能力
s重启
用户可编程的输出阻抗
快时钟周期时间： 4.0 ns的（ 250兆赫） ， 5.0纳秒（ 200兆赫） ， 6.0纳秒（ 167兆赫）
为便于深度扩展简单的控制逻辑
JTAG边界扫描
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一号文件M15825EJ7V1DS00 （第7版）
发布日期
七月
2004年NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2001
