UCC28510 ， UCC28511 ， UCC28512 ， UCC28513 ，
UCC28514 ， UCC28515 ， UCC28516 ， UCC28517
SLUS517B - 2002年12月 - 修订2004年8月
应用信息
选择调节常数，k
1R
能量储存器的电压，如由式（2） 。
k
1R
^
0.29 UCC28510 ， UCC28511 ， UCC28514 ， UCC28515
0.53 UCC28512 ， UCC28513 ， UCC28516 ， UCC28517
(2)
有有效的两种选择对于k
1R
直接相关的两个PWM滞后选项中，k
1R
= 0.29
k
1R
= 0.53 。选择大的PWM滞后的选择，如果系统负载时具有大，突然阶跃变化
稳态操作。选择小的PWM滞后的选择，如果系统负载具有适度的阶跃变化
或稳态操作期间缓慢的负载变化。 PWM的阶段可以被优化最好用小的PWM
滞后范围，因为变压器T1的最大一次电流（其发生在最小V
C1
）是
最小的小PWM迟滞范围。
选择一个近似的开关频率为PFC级。基于良好的起动频率为MOSFET
PFC级是在100千赫至200千赫的范围内，这取决于最大线电压和最大线路电流。
在开关频率的调整可能导致不能满足开关损耗的要求在Q1和D3或在
命令来优化L1的设计。
选择合适的拓扑结构使用关于功率要求和信息的PWM级
第五级
C1
。为简单起见，在图1的典型应用示出了反激式变换器中的PWM级。
在大多数情况下， PWM级拓扑结构必须具有变压器隔离的拓扑结构，必须仅需要一个
脉冲宽度信号。具有这些特征的拓扑结构包括：
单管正激转换器
单晶体管反激式转换器
双管正激变换器
双晶体管反激式转换器
估计标称和PWM级的最大占空比（D
2(nom)
, D
2(max)
和相关联的峰
Q2漏电流，I
Q2(peak)
），基于拓扑， PWM滞后的选择和输出电压要求
PWM的阶段。还判断是否是适当的操作PWM级在相同的开关
频率为PFC级，或者如果在PWM阶段可以在PFC级的开关频率的两倍工作。
基推定为PWM阶段上的最大电压和电流的开关频率
功率MOSFET和功率二极管。与价值方案PWM级的振荡器频率
R20.
R20
+
1
W
1赫兹
*
2.0
*12
f
31 10
S（ PWM）的
10
*7
(3)
大多数应用要求的PWM级调节以最小的能量存储电容电压。
最大占空比D
2(max)
我
Q2(peak)
应计算以最小的能量存储电压
来估算峰值电流应力为变压器T1和PWM阶段的任何其它电感性元件。
V
C1(min)
+
1
*
k
1R
V
C1(nom)
(4)
在这一点上，足够的信息可用于估计该UCC28510家族的成员应
选择。
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