飞思卡尔半导体公司
F = 860 MHz的
Z
负载
F = 900兆赫
飞思卡尔半导体公司...
Z
o
= 50
Z
来源
F = 860 MHz的
F = 900兆赫
V
DD
= 28 V，I
DQ
= 14毫安， P
OUT
= 0.9 W PEP
f
兆赫
860
865
870
875
880
885
890
895
900
Z
来源
27.853 + j5.908
28.617 + j6.078
29.458 + j6.285
30.306 + j6.422
31.223 + j6.567
32.194 + j6.660
33.228 + j6.656
34.293 + j6.624
35.424 + j6.508
Z
负载
15.492 + j63.669
15.592 + j68.687
15.788 + j69.799
15.835 + j70.863
15.975 + j71.920
16.094 + j73.091
16.286 + j74.159
16.344 + j75.236
16.628 + j76.283
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
测量=测试电路的阻抗
从漏极到地。
输入
匹配
网
设备
被测
产量
匹配
网
Z
来源
Z
负载
图22.系列等效源和负载阻抗
MW4IC001MR4
10
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