TLC225x ， TLC225xA
高级LinCMOS RAIL- TO- RAIL
超低功耗运算放大器
SLOS176A - 1997年2月 - 修订1999年7月
应用信息
宏信息
的Microsim使用宏提供的信息推导出
零件
,
所用的模型生成软件
用的Microsim
PSpice的
.
在博伊尔宏（见注5）和支路在图61中生成使用
在T的TLC225x典型的电气和操作特性
A
= 25°C 。使用该信息，输出
下面的关键参数的模拟，可以产生20％的（在大多数情况下）的公差：
D
D
D
D
D
D
最大正输出电压摆幅
最大负输出电压摆幅
压摆率
静态功耗
输入偏置电流
开环电压放大
D
D
D
D
D
D
单位增益频率
共模抑制比
相位裕度
直流输出电阻
AC输出电阻
短路输出电流限制
注5 ： GR博伊尔， BM科恩， DO佩德森和JE所罗门， “集成电路运算放大器宏建模”
IEEE杂志
固态电路中，
SC- 9 ， 353 （1974）。
99
VCC +
RSS
RP
2
IN =
DP
IN +
1
11
RD1
+
VAD
–
4
C1
12
RD2
60
54
–
VE
.SUBCKT TLC225x 1 2 3 4 5
C1
11
12
6.369E–12
C2
6
7
25.00E–12
DC
5
53
DX
DE
54
5
DX
DLP
90
91
DX
DLN
92
90
DX
DP
4
3
DX
EGND
99
0
聚（2）（ 3,0） （ 4,0） 0 0.5 0.5
FB
7
99
POLY （ 5 ） VB VC VE VLP
+ VLN 0 57.62E6 -60E6 60E6 60E6 -60E6
GA
6
0
11
12 26.86E–6
GCM
0
6
10
99 2.686E–9
国际空间站
3
10
DC 3.1E - 6
hlim
90
0
VLIM 1K
J1
11
2
10 JX
J2
12
1
10 JX
R2
6
9
100.0E3
+
OUT
RD1
60
11
37.23E3
RD2
60
12
37.23E3
R01
8
5
84
R02
7
99
84
RP
3
4
71.43E3
RSS
10
99
64.52E6
VAD
60
4
–.5
VB
9
0
DC 0
VC
3
53
DC 0.605
VE
54
4
DC 0.605
VLIM
7
8
DC 0
VLP
91
0
DC -.235
VLN
0
92
DC 7.5
.MODEL DX D（ IS = 800.0E - 18 ）
.MODEL JX PJF （ IS = 500.0E - 15 BETA = 139E - 6
+ VTO = - 。 05 ）
.ENDS
DE
5
RO1
DC
J1
10
J2
3
9
国际空间站
+
VC
R2
–
53
6
GCM
+
VB
–
C2
7
+
GA
VLIM
8
–
–
EGND +
FB
RO2
90
+ DLP
–
91
+
VLP
–
DLN
92
–
VLN
+
hlim
VCC =
图61.博伊尔宏模型和子电路
PSpice的
和
零件
是是MicroSim公司的注册商标。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
47
