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FlashFlex51 MCU
SST89E52RD2 / SST89E54RD2 / SST89E58RD2 / SST89E516RD2
SST89V52RD2 / SST89V54RD2 / SST89V58RD2 / SST89V516RD2
初步规格
表14-7 : DC é
LECTRICAL
C
极特FOR
SST89V5
XX
RD2
T
a
= -40°C
TO
+ 85°C ; V
DD
= 2.7-3.6V; V
SS
= 0V
符号
V
IL
V
IH
V
IH1
V
OL
V
OL
参数
输入低电压
输入高电压
输入高电压( XTAL1 , RST )
输出低电压( 1.5端口, 1.6 , 1.7 )
输出低电压(端口1 , 2 ,
3)
1
测试条件
2.7 < V
DD
< 3.6
2.7 < V
DD
< 3.6
2.7 < V
DD
< 3.6
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 16毫安
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 100A
2
I
OL
= 1.6毫安
2
I
OL
= 3.5毫安
2
V
OL1
输出低电压(端口0 , ALE , PSEN # )
1,3
V
DD
= 2.7V
I
OL
= 200A
2
I
OL
= 3.2毫安
2
V
OH
输出高电压(港口1 , 2 , 3 , ALE ,
PSEN # )
4
V
DD
= 2.7V
I
OH
= -10A
I
OH
= -30A
I
OH
= -60A
V
OH1
输出高电压(端口0外部总线模式)
4
V
DD
= 2.7V
I
OH
= -200A
I
OH
= -3.2mA
V
BOD
I
IL
I
TL
I
LI
R
RST
C
IO
I
DD
欠压检测电压
逻辑0输入电流(端口1 ,2,3 )
逻辑1到0跳变电流(端口1 , 2 , 3 )
5
输入漏电流(端口0 )
RST下拉电阻
引脚电容
6
电源电流
IAP模式
@ 12MHz的
@ 33兆赫
主动模式
@ 12MHz的
@ 33兆赫
空闲模式
@ 12MHz的
@ 33兆赫
掉电模式(最小V
DD
= 2V)
T
a
= 0 ° C至+ 70°C
T
a
= -40 ° C至+ 85°C
8.5
21
45
55
mA
mA
A
A
T14-7.0 1255
民
-0.5
0.2V
DD
+ 0.9
0.7V
DD
最大
0.7
V
DD
+ 0.5
V
DD
+ 0.5
1.0
0.3
0.45
1.0
0.3
0.45
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
DD
- 0.3
V
DD
- 0.7
V
DD
- 1.5
V
DD
- 0.3
V
DD
- 0.7
2.35
2.55
-75
-650
±10
225
15
V
A
A
A
K
pF
V
IN
= 0.4V
V
IN
= 2V
0.45 & LT ; V
IN
& LT ; V
DD
-0.3
@ 1兆赫,25°C
40
47
11.5
30
mA
mA
mA
mA
1.在稳态(非瞬态)的条件下,我
OL
必须从外部限制如下:
我最大
OL
每个端口引脚:
15mA
我最大
OL
每8位端口:
26mA
我最大
OL
总计所有输出: 71毫安
如果我
OL
超过测试条件,V
OL
可能超过相关特定网络阳离子。不保证引脚可以吸收比目前更大
列出的测试条件。
2004硅存储技术公司
S71255-00-000
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