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表一,电气性能特点 - 持续。
TEST
符号
条件1/2 /
-55
q
C
d
T
C
d
+125
q
C
除非另有说明
A组
设备
TYPE
范围
单位
动态特性研究 - 续
WE
1-4
电容3 /
C
WE
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C,
案例概述M,Z , U和
9
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C,表壳轮廓
T
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C,表壳轮廓
N
CS
1-4
电容3 /
C
CS
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C,
案例概述只
数据I / O容量3 /
C
I / O
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C,
案例概述只
地址输入电容3 /
C
AD
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C
V
IN
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
T
A
= +25
q
C,
案例概述只
功能测试
功能测试
参见脚注表的末尾。
SIZE
见4.3.1c
7,图8A ,8B
所有
4
所有
4
所有
4
所有
4
所有
4
所有
4
所有
4
所有
4
所有
4
所有
最大
20
pF
50
pF
32
pF
20
pF
15
pF
20
pF
15
pF
50
pF
32
pF
标准
微电路图纸
哥伦布国防供应中心
美国俄亥俄州哥伦布市43216-5000
A
修订级别
E
5962-94612
7
DSCC FORM 2234
APR 97

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