A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
1
订购信息
订货编号由下一个有效的组合形成：
256
N
0S
BA
W
01
0
包装类型
0
=纸盒（标准;见注1）
2
= 7英寸磁带和卷轴
3
= 13英寸磁带和卷轴
型号（注3 ）
（包球数，封装尺寸， DYB保护/撤消后
POWER- UP ）
01
= 84球， 8× 11.6毫米， DYB解除
11
= 80球， 7 ×9毫米， DYB保护
温度范围（注3 ）
W
=无线（ -25 ° C至+ 85°C ）
I
=工业（ -40 ° C至+ 85°C ，请联络厂方定）
包装类型和材料
BA
=非常薄细间距BGA ，铅（Pb ） - 免费标准套餐
BF
=非常薄细间距BGA ，铅（Pb ） - 免费套餐
速度选项（突发频率）
0S
= 80兆赫（联系工厂的可用性）
0P
= 66 MHz的
0L
= 54 MHz的
工艺技术
N
= 110纳米的MirrorBit 技术
闪存密度
256
= 256 MB
128
= 128兆
064
= 64 MB
器件系列
S29WS = 1.8伏只同时读/写，突发模式闪存
S29WS
S29WS -N有效组合（注1 ， 2 ， 3 ）
基地订购
产品型号
S29WS256N
产品
状态
初步
BAW （铅（Pb ） - 免费
兼容） ，
BFW （铅（Pb ） - 免费）
速度
选项
封装类型，
材料， &
温度范围
模型
数
01
11
0S ， 0P ， 0L
01
11
01
11
0, 2, 3
（注1 ）
1.70–1.95 V
填料
TYPE
V
IO
范围
DYB电源
Up状态
撤消
保护
撤消
保护
撤消
保护
7毫米×9mm的
80-ball
MCP-兼容
8毫米X 11.6毫米
84-ball
MCP-兼容
套餐类型
（注2 ）
S29WS128N
ADVANCE
S29WS064N
ADVANCE
注意事项：
1.类型0是标准配置。根据需要指定其他选项。
2. BGA封装标识遗漏领先的“ S29 ”和包装类型
标志从订购部件号。
3.对于1.5 V
IO
选项，其它引导选项，或工业温度
范围，请联系您当地的销售办事处。
有效组合
有效组合列表配置计划在VOL-支持
UME此设备。请咨询您当地的销售办事处，以确认可用
具体的有效组合的能力，并检查新发布
组合。
6
S29WS -N的MirrorBit 闪存系列
2005年S29WS - N_00_G0 1月25日，
