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PSD813F2 ， PSD833F2 ， PSD834F2 ， PSD853F2 ， PSD854F2
主闪存和辅助闪存
内存描述
主要的闪存平均分为
八个相等的部门。二级闪存
被分成四个相等的扇区。的每个扇区
任一存储器块可以单独保护
从编程和擦除周期。
快闪记忆体可在一个部门逐节删除
器的基础。 Flash扇区擦除可能会被暂停
当数据从块的其他部门阅读
和阅读后，再重新开始。
在闪存编程或擦除周期，
状态可以在就绪/忙（ PC3 ）输出。
该引脚设置使用PSDsoft中快速组态
口粮。
内存块选择信号
该DPLD生成所有的选择信号
内存模块（请参阅部分标题为
PLDS ，第33页） 。
每八个行业
主要的闪存有一个选择信号（ FS0-
FS7 ），其可含有多达3个乘积项。
四个部门的二次闪光的
内存有一个选择信号（ CSBOOT0-
CSBOOT3 ），其可含有多达3产物
条款。有三个方面的产品为每个选择
信号允许在给定扇区映射在differ-
系统内存耳鼻喉科领域。当使用一个MCU
有独立的程序和数据空间，这些
灵活的选信号进行动态重映射
从到另一个存储器空间扇区。
就绪/忙（ PC3 ） 。
这个信号可以用来
输出PSD的Ready / Busy状态。在输出
穿上就绪/忙（ PC3 ）是0 （忙）在Flash
存储器被写入，
or
当闪存
正在被删除。输出是一个1 （就绪）时
不写或擦除周期正在进行中。
存储器操作。
主要的闪存
和第二Flash存储器寻址
通过单片机总线接口。 MCU可以AC-
CESS这些存储器中的两种方法之一：
- MCU可以执行一个典型的总线写或
读
手术
只是因为它会如果访问
使用标准总线RAM或ROM设备
周期。
- MCU可以执行特定的指令
即由几个写和读
操作。这涉及到写作的具体数据
模式到Flash中的特殊地址
内存调用嵌入算法。
这些指令汇总于
表
9 ，第21页。
通常情况下， MCU可以通过读取闪存
读操作，就像它会读取DE- ROM
副。然而，闪速存储器只能被改变
使用特定的擦除和编程指令。为
例如， MCU不能写一个字节二
接连到闪存，因为它会写入一个字节
内存。要设定一个字节到闪存中，
MCU必须执行一个程序指令，则
测试程序循环的状态。此状态
测试是由一个读操作或轮询实现
就绪/忙（ PC3 ） 。
闪速存储器还可以通过使用特殊的读取
指令检索特定的闪存器件产生
形成（部门保护状态和ID ） 。
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