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PSD813F2 ， PSD833F2 ， PSD834F2 ， PSD853F2 ， PSD854F2
表9.说明
指令
读
5
主要阅读
闪存ID
6
阅读行业
保护
6,8,13
程序
闪存字节
13
闪存部门
抹去
7,13
散装闪
抹去
13
暂停
扇区擦除
11
简历
扇区擦除
12
RESET
6
解锁绕道
解锁绕道
节目
9
解锁绕道
RESET
10
FS0 - FS7或
CSBOOT0-
CSBOOT3
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
循环1
“读”
RD @ RA
将AAh @
X555h
将AAh @
X555h
将AAh @
X555h
将AAh @
X555h
将AAh @
X555h
B0h@
XXXXH
30h@
XXXXH
F0h@
XXXXH
将AAh @
X555h
A0h@
XXXXH
90h@
XXXXH
55h@
XAAAh
PD @ PA
00h@
XXXXH
20h@
X555h
55h@
XAAAh
55h@
XAAAh
55h@
XAAAh
55h@
XAAAh
55h@
XAAAh
90h@
X555h
90h@
X555h
A0h@
X555h
80h@
X555h
80h@
X555h
读取识别
(A6,A1,A0 = 0,0,1)
读取识别
(A6,A1,A0 = 0,1,0)
PD @ PA
将AAh @ X555h
将AAh @ X555h
55h@
XAAAh
55h@
XAAAh
30h@
SA
10h@
X555h
30h
7
@
接下来SA
周期2
周期3
周期4
周期5
周期6
周期7
注：1，所有的总线周期是写总线周期，除了那些与“阅读”标签
2.所有的值是十六进制的：
X =无关。形式XXXXH的地址，在该表中，必须是偶数地址
要读取的RA =地址的存储单元
RD =数据读取位置RA的读周期中
PA =地址的存储单元进行编程。地址锁存写选通（ WR ， CNTL0 ）的下降沿。
PA是偶数地址为PSD在Word编程模式。
PD =数据字在位置PA进行编程。数据被锁存，写选通脉冲的上升沿（ WR ， CNTL0 ）
SA =地址扇区被擦除或验证。该部门的部门选择（ FS0 - FS7或CSBOOT0 - CSBOOT3 ）是
擦除，或验证，必须有效（高） 。
3.行业选择（ FS0至FS7或CSBOOT0到CSBOOT3 ）信号高电平有效，并在PSDsoft中快速定义。
4.只有地址位A11 - A0在指令解码时。
5.没有解锁或指令周期是必需的，当该装置处于读模式
6.复位指令需要读取闪存ID后，返回到读取模式，或读取扇区保护桩号后
土族，或者如果错误标志位（ DQ5 / DQ13 ）变为高电平。
7.其他扇区被擦除必须写在为80μs内的扇区擦除指令的末端。
8.数据为00h的未受保护的部门和01H为受保护的行业。在第四个周期中，行业选择是积极的，并
(A1,A0)=(1,0)
9.解锁绕道指令之前解锁绕道程序指令要求。
10.解锁绕道复位FLASH指令需要返回到读出存储器中的数据时，该设备处于解锁绕道
模式。
11.系统可以在不擦除扇区进行读取和编程周期，读取闪存ID或读取扇区保护状态
在暂停扇区擦除模式时。仅在一个扇区擦除周期的暂停扇区擦除指令有效。
只有在暂停扇区擦除模式12.恢复扇区擦除指令有效。
而来自同一个闪存执行代码，对于该指令是13单片机不能调用这些指令
意。 MCU必须取，例如，从第二Flash存储器的代码读出扇区保护状态时
的主闪存存储器。
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