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PSD834F2V
图5.数据触发流程图
开始
读
DQ5 & DQ6
DQ6
=
切换
是的
NO
NO
DQ5
=1
是的
读DQ6
DQ6
=
切换
是的
失败
NO
通
AI01370B
出错标志（ DQ5 ）位被置位，如果一个内部
发生超时而嵌入式算法
试图编程的字节，或者如果MCU AT-
诱惑编程1位，这不是删除
（不会被擦除为逻辑0 ） 。
有人建议（与所有的Flash存储器）读取
嵌入式编程之后再次为位置
明算法已经完成，比较
被写入到闪存与字节
字节的目的是要被写入。
当后使用数据切换方法
擦除周期，如图5仍然适用。在切换标志
（ DQ6 ）位被触发，直到擦除周期完成。
A 1上的错误标志（ DQ5 ）位表示超时
条件对擦除周期; 0表示没有ER-
ROR 。 MCU可以在该节读取任何位置
器被删除拿到切换标志（ DQ6 ）位
和错误标志（ DQ5 ）位。
PSDsoft中快速生成ANSI C代码的功能
系统蒸发散而实现这些数据切换algo-
rithms 。
解锁绕道。
解锁绕道说明
允许系统进行编程的字节的闪存
回忆不是使用标准程序更快
指令。解锁旁路模式进入
首先启动两个解锁周期。这之后是
由包含解锁附例三分之一写周期
通过代码， 20小时（见表7）。
Flash存储器，然后进入解锁绕道
模式。两周期解锁绕道程序IN-
梁支是所有在这个编程所需
模式。在该指令的第一个周期包含
解锁绕道程序代码：A0H 。该节
OND周期中包含的程序的地址和数据。
附加的数据编程在同一MAN-
NER 。这些指令分配与初始
在标准的亲需要两个解锁周期
克指令，从而导致更快的总闪存
存储器编程。
在解锁旁路模式，只有解锁
绕道程序和解锁绕道复位FLASH
指令是有效的。
要退出解锁旁路模式时，系统必须
问题二冲程解锁绕道复位FLASH IN-
梁支。在第一周期中必须包含数据
90H ;第二个周期的数据为00h 。地址是
不喜欢这两个周期。 Flash存储器
然后返回到读取模式。
擦除闪存
闪批量擦除。
闪存批量擦除指令
化使用六个写操作之后读
状态寄存器的操作，如上述
表7.如果批量擦除指令中的任何一个字节
错了，批量擦除指令中止，
装置被复位到读Flash存储器的状态。
在批量擦除，内存状态可能
通过读取错误标志检查（ DQ5 ）位时，
切换标志（ DQ6 ）位，而数据轮询标志
（ DQ7 ）位，如在部分详述了题为“亲
编程快闪记忆体“ ，第19页上的错误
标志（ DQ5 ）位返回1，如果出现了
擦除失败（擦除周期的最大数目
已执行） 。
这是没有必要的存储器与编程
00H，因为PSD会自动执行此BE-
前擦除到0FFh 。
在执行批量擦除指令后，
快闪记忆体不接受任何的指令。
闪存扇区擦除。
扇区擦除指令
化使用六个写操作，如TA-描述
竹叶提取7.其它Flash扇区擦除码和
快闪存储器的扇区地址可以写入
随后，以消除其他闪存节
器并联，而不进一步编码的周期，如果
附加字节在较短的时间传送
大于约100微秒的超时时间段。输入
一个新的扇区擦除代码重新启动超时
期。
内部定时器的状态可以被监控
通过擦除超时标志的水平（ DQ3 ）
位。如果擦除超时标志（ DQ3 ）位为0时，
扇区擦除指令已收到，
超时周期计数。如果擦除时间 -
出旗（ DQ3 ）位为1 ，则超时时间已EX-
pired和PSD忙擦除闪存存储器
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