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PSD834F2V
编程闪存
快闪记忆体必须是亲前擦除
编程。 Flash存储器的一个字节擦除所有
1秒（ FFh）中，并且通过设定选择的编程
位为0的MCU可擦除闪存中的所有
一次或扇区，但不是字节逐字节。不过，
该MCU可以编程闪存字节逐
字节。
小学和中学的闪存重新
要求其它MCU发送的指令编程
字节或擦除扇区（见表7） 。
一旦MCU发出闪存编程或
擦除指令，它必须检查状态位
完成。嵌入式算法是
该PSD支持中调用几个手段
提供状态到MCU 。状态可以检查
使用以下三种方法：数据查询，数据
切换，或就绪/忙（ PC3 ） 。
数据轮询。
轮询的数据轮询标志
（ DQ7 ）位是检查是否亲的方法
克或擦除周期正在进行中或已完成生产
ED 。图4示出了数据轮询算法。
当MCU发出编程指令，
PSD中嵌入的算法开始。该
MCU然后读取字节的位置是亲
编程的闪存来检查状态。该
数据轮询标志（ DQ7 ）位这个位置的BE-
来自原始数据的b7的补
字节进行编程。 MCU继续
查询该位置，比较数据轮询标志
（ DQ7 ）位和监测错误标志（ DQ5 ）位。
当数据轮询标志（ DQ7 ）位匹配B7
原始数据，并在错误标志的（ DQ5 ）位
仍然是0 ，嵌入式算法完成。如果
错误标志（ DQ5 ）位为1时，MCU应该测试
数据轮询标志（ DQ7 ）再次咬自
数据轮询标志（ DQ7 ）位可能已经改变Si-所示
multaneously的错误标志（ DQ5 ）位（见
科幻gure 4 ） 。
出错标志（ DQ5 ）位被置位，如果一个内部
发生超时而嵌入式算法
试图编程的字节或者如果MCU AT-
诱惑编程1位，这不是删除
（不会被擦除为逻辑0 ） 。
有人建议（与所有的Flash存储器）读取
嵌入式编程之后再次为位置
明算法已经完成，比较
被写入到闪存与字节
字节的目的是要被写入。
当在一个使用数据轮询方法
擦除周期，如图4仍然适用。然而，该
数据轮询标志（ DQ7 ）位为0 ，直到擦除赛扬
CLE完成。 A 1上的错误标志（ DQ5 ）位IN-
dicates在擦除周期超时情况;一
0表示没有错误。 MCU可以读取某些地区的任何
部门内化被抹去，以获得数据
轮询标志（ DQ7 ）位和错误标志（ DQ5 ）位。
PSDsoft中快速生成ANSI C代码的功能
它实现这些数据轮询algo-系统蒸发散
rithms 。
图4.数据查询流程图
开始
READ DQ5 & DQ7
在有效的地址
DQ7
=
数据
NO
NO
是的
DQ5
=1
是的
阅读DQ7
DQ7
=
数据
NO
失败
是的
通
AI01369B
数据切换。
检查切换标志（ DQ6 ）位
是确定的方法是否一个程序或
擦除周期正在进行中或已完成。图 -
URE 5显示了数据切换算法。
当MCU发出编程指令，
PSD中嵌入的算法开始。该
MCU然后读取字节的位置是亲
编程的闪存来检查状态。该
切换标志（ DQ6 ）这个位置的位切换各
时间MCU读取该位置，直到嵌入
DED算法完成。 MCU继续
阅读这个位置，检查切换标志（ DQ6 ）
位和监测错误标志（ DQ5 ）位。当
在切换标志（ DQ6 ）位停止切换（ 2 CON-
secutive读取产生相同的值），以及呃 -
ROR标志（ DQ5 ）位保持0 ，嵌入式
算法完成。如果错误标志（ DQ5 ）位
1 ， MCU应该测试切换标志（ DQ6 ）位
再次，由于切换标志（ DQ6 ）位可有
与错误标志同时改变（ DQ5 ）
位（参见图5） 。
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