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PSD813F2 ， PSD833F2 ， PSD834F2 ， PSD853F2 ， PSD854F2
编程闪存
快闪记忆体必须是亲前擦除
编程。 Flash存储器的一个字节擦除所有
1秒（ FFh）中，并且通过设定选择的编程
位为“0”的MCU可擦除闪存中的所有
在一次或扇区，但不是字节逐字节。 Howev-
呃，单片机可以编程闪存字节逐
字节。
小学和中学的闪存重新
要求其它MCU发送的指令编程
字节或擦除扇区（见
表9 ，第21页） 。
一旦MCU发出闪存编程或
擦除指令，它必须检查状态位
完成。嵌入式算法是
该PSD支持中调用几个手段
提供状态到MCU 。状态可以检查
使用以下三种方法：数据查询，数据
切换，或就绪/忙（ PC3 ） 。
数据轮询
轮询的数据轮询标志位（ DQ7 ）是
检查是否编程或擦除的方法
周期正在进行中或已完成。身材
7
显示数据轮询算法。
当MCU发出编程指令，
PSD中嵌入的算法开始。该
MCU然后读取字节的位置是亲
编程的闪存来检查状态。该
数据轮询标志位该位置（ DQ7 ） BE-
来自原始数据的b7的补
字节进行编程。 MCU继续
查询该位置，比较数据轮询标志
位（ DQ7 ）和监控错误标志位（ DQ5 ） 。
当数据轮询标志位（ DQ7 ）匹配B7
原始数据，并在错误标志位（ DQ5 ）的
遗体'0 '嵌入的算法完成。
如果错误标志位（ DQ5 ）为“ 1 ”， MCU应该
测试数据轮询标志位（ DQ7 ）再次自
数据轮询标志位（ DQ7 ）可能已经改变
同时与错误标志位（ DQ5 ，见
科幻gure
7).
错误标志位（ DQ5 ）设置，如果一个内部
发生超时而嵌入式算法
试图编程的字节或者如果MCU AT-
诱惑编程“1”来了一下，这不是
删除（不擦除为逻辑“0” ） 。
有人建议（与所有的Flash存储器）读取
嵌入式编程之后再次为位置
明算法已经完成，比较
被写入到闪存与字节
字节的目的是要被写入。
当在一个使用数据轮询方法
擦除周期，如图
7
仍然适用。然而，该
数据轮询标志位（ DQ7 ）为“0” ，直到擦除赛扬
CLE完成。 A 1上的错误标志位（ DQ5 ） IN-
dicates在擦除周期超时情况;一
0表示没有错误。 MCU可以读取某些地区的任何
部门内化被抹去，以获得数据
轮询标志位（ DQ7 ）和错误标志位
(DQ5).
PSDsoft中快速生成ANSI C代码的功能
它实现这些数据轮询algo-系统蒸发散
rithms 。
图7.数据查询流程图
开始
READ DQ5 & DQ7
在有效的地址
DQ7
=
数据
NO
NO
是的
DQ5
=1
是的
阅读DQ7
DQ7
=
数据
NO
失败
是的
通
AI01369B
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