初步
PSD813F1-A
（ 3.0 V至3.6 V的版本）
PSD813F1V直流特性
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
IH1
V
IL1
V
HYS
V
LKO
V
OL
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
复位高电平输入电压
复位低电平输入电压
复位引脚迟滞
V
CC
最小的闪存擦除和编程
输出低电压
所有速度
条件
3.0 V < V
CC
＆ LT ; 3.6 V
3.0 V < V
CC
＆ LT ; 3.6 V
（注1 ）
（注1 ）
民
3.0
.7 V
CC
–.5
.8 V
CC
–.5
0.3
1.5
典型值
最大
3.6
V
CC
+.5
0.8
V
CC
+.5
.2 V
CC
–.1
2.2
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
OL
= 20 μA ，V
CC
= 3.0 V
I
OL
= 4毫安， V
CC
= 3.0 V
0.01
0.15
2.9
2.7
V
SBY
– 0.8
2.0
2.99
2.8
0.1
0.45
V
OH
V
OH1
V
SBY
I
SBY
I
空闲
V
DF
I
SB
I
LI
I
LO
输出高电压除V
STBY
On
输出高电压V
STBY
On
SRAM的待机电压
SRAM的待机电流
空载电流（V
STBY
针）
SRAM数据保持电压
待机电源电流
为省电模式
输入漏电流
输出漏电流
I
OH
= -20 μA ，V
CC
= 3.0 V
I
OH
= -1毫安，V
CC
= 3.0 V
I
OH1
= 1 A
V
CC
= 0 V
V
CC
＆ GT ; V
SBY
只有在V
STBY
CSI ＆ GT ; V
CC
-0.3 V（注2 ）
V
SS
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
CC
0.45 ＆ LT ; V
IN
＆ GT ; V
CC
ZPLD_TURBO = OFF ，
F = 0兆赫（注3）
V
CC
0.5
1
0.1
V
A
A
V
–0.1
2
25
–1
–10
±.1
±5
0
200
10
0
0
100
1
10
A
A
A
mA
ZPLD只有
I
CC
（DC）的
（注3）
操作
电源电流
闪存或EEPROM
ZPLD_TURBO = ON ，
F = 0兆赫
在FLASH或
EEPROM写/擦除只
只读， F = 0兆赫
400
25
0
0
μA / PT
mA
mA
mA
图34A
SRAM
ZPLD AC加法
I
CC
（AC）的
（注3）
Flash或
EEPROM
AC加法
SRAM AC加法
F = 0兆赫
1.5
0.8
2.0
1.5
毫安/ MHz的
毫安/ MHz的
注意事项：
1. Reset输入迟滞。 V
IL1
是有效或低于.2V
CC
–.1. V
IH1
有效以上.8V
CC
.
2.沪深取消或内部PD是有效的。
3. I
OUT
= 0毫安
91
