PSD813F1-A
初步
该
PSD813F1
实用
块
（续）
图4.软件数据保护禁止流程图
AAh写入
地址555H
55h写入
地址AAAH
写80H到
地址555H
页写
指令
AAh写入
地址555H
55h写入
地址AAAH
写20H到
地址555H
无保护状态
后
TWC （写周期）
9.1.1.6.4写入OTP行
写入到OTP行（64个字节）只能使用一次每个字节进行，并且由使能
指令。该指令是在由数据字节三个具体写操作
接着是数据的三个具体的存储位置将被存储在OTP行中（参照
表9）。在写操作，地址位A6必须为零，而地址位A5- A0
定义OTP行字节写入，而任何EEPROM部门选择信号（ EESI ）是
活跃的。写OTP行仅允许在未启用SDP模式。
9.1.1.7编程闪存
快闪记忆体必须被编程之前擦除。该MCU可擦除闪存
存储器一次全部或逐个扇区，但不是字节逐字节。闪存字节擦除所有
逻辑一（十六进制的FF ） ，并且其位被编程为逻辑0 。虽然擦除闪存
记忆发生在一个部门的基础上，编程闪存出现在字节范围内。
该PSD813F1主Flash和可选的引导闪存要求MCU发送的指令
编程一个字节或执行擦除功能（见表9）。这不同于EEPROM ，
它可以用简单的MCU总线写操作进行编程（除非EEPROM SDP
模式被启用） 。
一旦MCU发出的Flash存储器编程或擦除指令，它必须检查的
完成状态。这是在PSD813F1中调用嵌入算法
支持多种方式提供状态到MCU 。状态，可以使用任何被检查
三种方法：数据查询，数据切换，或者就绪/忙输出引脚。
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