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PSD3XX家庭
11.
PSD内存
以下各节说明中的各种存储块和内存选项
PSD3XX.
11.1 EPROM
对于所有的PSD3XX设备，在EPROM利用零功耗技术构建的。这
意味着对EPROM上电时，只有当该地址的变化。它消耗的功率为
必要的时间来锁定它的输出数据。在此之后，它关闭电源，并保持在
待机模式，直到下一个地址的改变。这是自动发生的，和设计师
有做什么特别的。
该EPROM分为八个大小相等的银行。每个存储体可以被放置在任何
通过编程PAD地址位置。 BANK0 - BANK7被垫输出选择
ES0 - ES7 ，分别。有一个产品期限为每家银行选择（ ESI） 。
参照表1可以查看该EPROM中的大小为每个PSD器件。
11.2 SRAM （可选）
如EPROM ，在PSD3XX设备可选SRAM采用零功耗建
技术。
不具有的R后缀的所有PSD3XX部分包含2Kb的SRAM （表1） 。该
SRAM被选中的PAD的RS0输出。有一个长期的产品奉献给
RS0.
如果您的设计需要一个SRAM比2K ×8的大，然后用RAMless之一
的3XX设备（R版本）与一个外部的SRAM 。外部SRAM可以是
解决trhough端口A和所有需要的逻辑将由PSD3XXR照顾。
11.3页寄存器（可选）
所有PSD3XX份，除3X1devices ，具有4位的页面寄存器。因此，有效
你的MCU的地址空间可以通过16倍放大的页面中的每个位
寄存器可以单独读出或写入。在页寄存器位于CSIOPORT
空间（在偏移量18H） ;请参阅表5页寄存器被连接到的最低四位
数据总线（ D3- D0） 。页寄存器， P3 -P0的输出，连接到垫，
并为此可以在任何芯片选择（内部或外部）的方程中使用。的内容
页寄存器被复位到零上电时和之后的任何芯片级复位。
11.4编程和擦除
编程的器件可以使用以下方法来完成：
ST
主程序员PSDpro ，这是通过并行端口进行访问。
’s
ST的程序员专门与PSD3XX - PEP300使用。
ST
停产程序员魔临。
’s
第三方程序员，比如数据的I / O 。
对器件编程，请直接从ST 。请联系您
当地销售代表。此外，还要检查我们的网站（ www.st.com/psm ）的相关信息
到第三方程序员。
交货时，从ST或每个擦除后（使用窗口的一部分） ，该PSD3XX设备
在PAD和EPROM的所有位中的HI状态（逻辑1） 。配置位都在LO
状态（逻辑0 ） 。
要清除它们的编程内容的所有位置（假设你有一个窗口
版），所述窗口器件暴露于紫外（UV）光源。的剂量
30瓦秒/厘米
2
需要PSD3XX设备，和40瓦特秒/平方厘米
2
用于低电压
（Ⅴ后缀）设备。这一剂量可以通过曝光来获得的2537埃的波长
和强度12000 μW /厘米
2
为40至45分钟的时间PSD3XX和55至60分钟
对于低电压（V后缀）设备。该装置应该是大约1英寸（ 2.54厘米）
从源和所有筛选条件应该从擦除前的UV光源被除去。
该PSD3XX设备将删除具有波长比4000更短的光源。
然而，在擦除时间将使用推荐的2537埃的情况相比要长得多
波长。注：暴露在阳光下最终将擦除设备。如果在这样的使用
环境，包窗口应覆盖不透明的物质。
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