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NCP304 , NCP305
订购信息
设备
NCP304HSQ30T1
NCP304HSQ30T1G
NCP304HSQ45T1
NCP304HSQ45T1G
NCP304HSQ47T1
NCP304HSQ47T1G
NCP305LSQ09T1
NCP305LSQ09T1G
NCP305LSQ11T1
NCP305LSQ11T1G
NCP305LSQ15T1
NCP305LSQ16T1
NCP305LSQ16T1G
NCP305LSQ17T1
NCP305LSQ17T1G
NCP305LSQ18T1
NCP305LSQ20T1
NCP305LSQ22T1
NCP305LSQ22T1G
NCP305LSQ23T1
NCP305LSQ24T1
NCP305LSQ25T1
NCP305LSQ27T1
NCP305LSQ27T1G
NCP305LSQ28T1
NCP305LSQ28T1G
NCP305LSQ29T1
NCP305LSQ29T1G
NCP305LSQ30T1
NCP305LSQ30T1G
NCP305LSQ30T3
门槛
电压
3.0
3.0
4.5
4.5
4.7
4.7
0.9
0.9
1.1
1.1
1.5
1.6
1.6
1.7
1.7
1.8
2.0
2.2
2.2
2.3
2.4
2.5
2.7
2.7
2.8
2.8
2.9
2.9
3.0
3.0
3.0
开放
活跃
CMOS
产量
TYPE
RESET
记号
SOL
SOLG
SPA
SPAG
SPC
SPCG
SIZ
SIZG
SIXG
SIS
爵士
SIRG
SIQ
SIQG
SIP
SIK
SIKG
骶髂关节
SII
SIH
SIF
SIFG
SIE
SIEG
SID
SIDG
SIC
SICG
SIC
SC82AB
SC82AB
(无铅)
SC82AB
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(无铅)
SC82AB
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(无铅)
SC82AB
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(无铅)
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(无铅)
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(无铅)
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(无铅)
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(无铅)
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SC82AB
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(无铅)
SC82AB
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(无铅)
SC82AB
SC82AB
(无铅)
SC82AB
SC82AB
(无铅)
SC82AB
10000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
航运
活跃
注:订购信息,列出了标准欠压阈值与低有效输出。附加的活动门槛低的设备,包括
从0.9 V至4.9 V以100 mV递增和NCP304高电平输出设备,范围从0.9 V至4.9 V以100 mV递增
可以制造。请联系您的安森美半导体为代表的可用性。这些额外的电特性
设备示于表1和表2 。
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
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