应用信息
图A显示了使用芯片上的电平转换器DE-的
尾于图2 ，图3和4， 0至5伏的数字控制显
最终被用来直接控制一个9 Vp-p的模拟信号。
数字控制逻辑电平由VDD的确定和
V SS 。 V DD电压是逻辑高电压;在V SS电压
年龄是逻辑低。对于这个例子， V DD = + 5 V =逻辑高电平时
控制输入; VSS = GND = 0 V =逻辑低电平。
最大模拟信号电平为V DD确定
和V EE 。 V DD电压确定最大recom-
谁料峰值高于V SS 。在V EE电压决定
最大摆幅低于V SS 。供的实例中， V DD - VSS =
5 V最大摆幅大于V SS ; V SS - V EE = 5 V最大
摆幅低于VSS 。这个例子显示了
±
4.5 V信号
允许1/2伏利润率在每个高峰。如果电压瞬变
+5 V
VDD
VSS
VEE
+ 4.5 V
9 Vp-p的
模拟信号
+5 V
开关
I / O
高于VDD和/或下方的VEE预计在模拟
渠道，外部二极管（ DX） ，建议如图所示
图B.在这些二极管要小信号类型能够
在吸收预期的浪涌电流的最大值
剪裁。
该
绝对
在V DD最大电位差
和VEE为18.0 V.大多数参数指定高达15 V
这是
推荐
之间的最大区别
V DD和V EE 。
均衡设备不是必需的。然而，V SS必须
小于或等于V EE更大。例如， V DD = + 10V，
V SS = + 5 V和V EE - 3 V是可以接受的。请参阅下表
下文。
–5 V
常见
O / I
MC14051B
MC14052B
MC14053B
9 Vp-p的
模拟信号
GND
– 4.5 V
外
CMOS
数字
电路
0至5 V数字
控制信号的
INHIBIT ，
A， B，C
图A.应用实例
VDD
DX
类似物
I / O
DX
VEE
VEE
常见
O / I
DX
VDD
DX
摩托罗拉CMOS逻辑数据
图B.外部锗或肖特基二极管削波
可能的电源连接
VDD
单位为伏特
+8
+5
+5
+5
VSS
单位为伏特
0
0
0
0
VEE
单位为伏特
–8
控制输入
逻辑高/低逻辑
单位为伏特
+ 8/0
+ 5/0
+ 5/0
+ 5/0
最大模拟信号范围
单位为伏特
+ 8 - 8 = 16 Vp-p的
– 12
0
+ 5 - 12 = 17 Vp-p的
+ 5 0 = 5 Vp-p的
–5
–5
+ 5 - 5 = 10 Vp-p的
+ 10
+5
+ 10/ + 5
+ 10 - 5 = 15 Vp-p的
MC14051B MC14052B MC14053B
7
