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MBM29SL160TD
-10/-12
/MBM29SL160BD
-10/-12
表9切换位状态
模式
节目
抹去
擦除暂停阅读
（擦除暂停的扇区）
擦除暂停计划
DQ
7
DQ
7
0
1
DQ
7
DQ
6
切换
切换
1
切换（注1 ）
DQ
2
1
切换
切换
1 （注2 ）
注意：
从任意地址1.Performing连续读operetions将导致DQ
6
切换。
2.Reading字节地址进行编程，而在擦除暂停程序模式将显示逻辑
"1"在DQ
2
位。然而，从擦除挂起扇区会造成DQ连续读取
2
切换。
RY / BY
就绪/忙
该MBM29SL160TD / BD提供RY / BY开漏输出引脚，以此来表示对主机系统
所述嵌入式算法是正在进行或已经完成。如果输出为低时，器件
忙于无论是编程或擦除操作。如果输出为高，该装置已准备好接受任何读/
写或擦除操作。当RY / BY引脚为低电平时，该装置将不接受任何额外的编程或擦除
命令。如果MBM29SL160TD / BD被放置在擦除挂起模式时， RY / BY输出为高。
在编程期间， RY / BY引脚之后的第四个写脉冲的上升沿驱动为低电平。在擦除
操作中， RY / BY引脚后的第六写入脉冲的上升沿驱动为低电平。该RY / BY引脚将指示
复位脉冲期间的忙碌状态。参阅图11和图12进行了详细的时序图。该RY / BY
引脚拉高处于待机模式。
因为这是一漏极开路输出， RY / BY引脚可以连在一起并联一个上拉电阻到V
CC
.
字节/字CON组fi guration
BYTE引脚选择字节（ 8位）模式或字（16位）模式的MBM29SL160TD / BD设备。当
该引脚驱动为高电平时，器件的字（16位）模式下运行。的数据被读出并在DQ的编程
0
到DQ
15
。当该引脚为低电平时，器件工作在字节（ 8位）模式。在这种模式下，为DQ
15
/A
-1
针
成为最低地址位和DQ
8
到DQ
14
位处于三态。但是，命令总线周期始终
一个8位的操作，因此命令被写在DQ
0
到DQ
7
和DQ
8
到DQ
15
位被忽略。参考
图13 ，图14和15的时序图。
数据保护
该MBM29SL160TD / BD是为了提供保护，防止意外删除或编程引起的
通过系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。上电时器件
自动复位内部状态机在读取模式。另外，对于其控制寄存器结构，
改变的存储器中的内容仅发生成功完成的具体的多总线循环命令后
序列。
该器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
上电
和断电转换或系统噪声。
如果嵌入式擦除算法被中断时，有可能在擦除扇区（多个）不能使用。
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