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MBM29PL160TD
-75/-90
/MBM29PL160BD
-75/-90
s
功能说明
自由读模式
该MBM29PL160TD / BD有哪些必须按顺序在输出端获得的数据应满足两个控制功能。
CE是功率控制和应使用一个设备的选择。 OE为输出控制和应使用
到栅极的数据到输出引脚，如果一个设备被选中。
地址访问时间（t
加
）等于从稳定地址延迟到有效输出数据。芯片使能
访问时间（吨
CE
）是从稳定的地址和稳定的CE到在输出引脚的有效数据的延迟。输出
允许访问的时间是从操作环境的有效数据在输出引脚的下降沿的延迟。 （假设
地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
时间。 ）请参阅图5.1时序规范。当阅读
出而不经过鲍威向上改变地址的数据时，它是必要的输入硬件重置或改变的CE
引脚从"H"到"L" 。
页面阅读模式
该MBM29PL160TD / BD能够快速页面读取模式，并与页模式MASK ROM兼容
读操作。该模式可提供更快的读取访问速度页面内随机位置。页面大小
的MBM29PL160TD / BD设备是8个字或16个字节，在相应的页面由被选择
higheraddress比特的
0
到A
2
（中字模式）和A
-1
到A
2
（以字节方式）确定特定的词/
bytewithin该页面。这是与微处理器的一个异步操作提供了特定词或
字节位置。
该rondom或初始页面访问等于t
加
和随后的页的读访问（只要该位置
由微处理器秋季内的页面）指定相当于吨
PACC
。这里再次，CE选择设备
和OE为输出控制以及应该用于栅极的数据到输出引脚是否选择该设备。快
网页模式访问被保持得
3
到A
19
恒和更改
0
到A
2
选择特定的
词，或改变
-1
到A
2
以选择特定的字节，则该页面内。参见图5.2时序规范。
待机模式
该MBM29PL160TD / BD具有待机模式，的CMOS待机模式（CE输入HEL在V
CC
± 0.3 V ） ，当
电流消耗小于50
A.
在嵌入式算法操作，V
CC
有源电流（I
CC2
）是必须的
甚至CE = “H”。该装置可以读取与标准访问时间（t
CE
）从待机模式。
在待机模式下，输出处于高阻抗状态，独立的参考输入的。如果该装置
擦除或编程过程中取消选择，该设备将吸引有功电流，直到操作完成。
自动休眠模式
有一种称为自动睡眠模式中读出的克制功耗功能
MBM29PL160TD / BD数据。此模式可有效地与提出请求的低功率应用中使用
消费，如手持终端。
要激活此模式下， MBM29PL160TD / BD自动切换到低功率模式时，地址
保持稳定的150纳秒。这是没有必要的控制的CE ，WE， OE和在该模式。在这样的模式下，
电流消耗典型地是50
A
（ CMOS电平） 。
标地址的访问定时提供新数据时，地址被改变了。而在睡眠模式下，输出
数据被锁存并始终可用的系统。
输出禁用
如果在OE输入处于逻辑高电平（V
IH
） ，从设备输出被禁止。这将导致输出管脚
处于高阻抗状态。
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