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MBM29PL160TD
-75/-90
/MBM29PL160BD
-75/-90
MBM29PL160BD = 45H为
×8
模式; MBM29PL160TD = 2227H和MBM29PL160BD = 2245H为
×16
模式）。
（见表4.1和4.2 ）。
所有制造商和设备代码将表现为奇校验与DQ
7
定义为奇偶校验位。
该部门的国家（保护或解除保护），将地址XX02H指示的
×16
（ XX04H的
×8).
扫描的扇区地址（A
19
, A
18
, A
17
, A
16
, A
15
, A
14
, A
13
和A
12
），而（A
6
, A
1
, A
0
）=（ 0，1， 0）时产生
一个逻辑“1” ，在装置输出的DQ
0
对于受保护的行业。编程校验应当执行余量
验证模式上的保护扇区。 （参见表2和3）。
以终止该操作，有必要写入读/复位命令序列到寄存器，并
同时在操作过程中写入自动选择命令，写入读取后执行它/复位命令
序列。
字/字节编程
对器件进行编程上的逐字节（或字的字）的基础。编程是一个四总线周期操作。
有两种“解锁”写周期。这些都是其次的程序设置命令和数据写入周期。
地址锁存CE或WE的下降沿，以较迟者为准情况和数据被锁存的
上升CE或WE的边缘，先发生者为准。最后CE或WE的上升沿（发生者为准
第一）开始编程。在执行的嵌入式程序算法的命令序列，则系统
不需要提供进一步的控制或定时。该设备会自动提供足够的内部
产生的编程脉冲和验证的程序性细胞余量。 （参见图6和7 ）
在自动编程操作完成时， DQ上的数据
7
相当于写入该数据
位，此时该装置返回到读模式和地址不再锁存。 （见表9 ，硬件
序列标记）。因此，该装置需要一个有效地址由系统在此时供给。
因此，数据查询，必须在正被编程的存储单元来执行。
在此期间，写入到芯片的任何命令都将被忽略。如果硬件复位期间occures
编程操作时，它不可能保证被写入的数据是否正确。
编程允许以任何顺序和跨越扇区边界。注意的是，一个数据“0”不能
程序返回到“1” 。尝试这样做既可以挂上设备或导致明显的成功
根据数据轮询算法但是从读/复位模式中读出显示中的数据仍然为“0” 。只
擦除操作可以转换成“0”到“1” 。
图16示出了嵌入式程序
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是芯片擦除命令进行。
芯片擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
算法的命令序列，设备将自动编程和验证整个内存为全零
之前的电擦除的数据模式。 （预编程功能。 ）该系统不需要提供任何控制
在这些操作期间或定时。
自动擦除开始的最后一个WE脉冲的命令序列和终止的上升沿
当DQ数据
7
为“1 ”（见写操作状态一节。 ）此时设备返回到读取模式。
（参见图8 ）
图17示出了嵌入式擦除
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期操作。有两种“解锁”写周期，接着通过写“设置”
命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。扇区地址
（所需扇区内的任意地址的位置）被锁定在WE的下降沿，而命令（数据
= 30H）被锁定在WE的上升沿。过了一段时间，出50
s
从最后一个扇区擦除的上升沿
命令后，扇区擦除操作将开始。
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