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MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
表11通用闪存接口代码
描述
查询唯一的ASCII字符串
“ QRY ”
初级OEM命令集
2H ： AMD / FJ标准型
地址小学
扩展表
备用OEM命令
设置（ 00H =不适用）
地址替代OEM
扩展表
V
CC
分钟。 （写入/擦除）
D7-4 ：伏， D3-0 ： 100 mvolt
V
CC
马克斯。 （写入/擦除）
D7-4 ：伏， D3-0 ： 100 mvolt
V
PP
分钟。电压
V
PP
马克斯。电压
每一个典型的超时
字节/字写2
N
S
典型的超时最小。大小
缓冲区写2
N
S
每超时典型
个别块擦除2
N
mS
典型的超时整片
删除2
N
mS
马克斯。超时字节/字
写2
N
时代典型
马克斯。超时缓冲区写
2
N
时代典型
马克斯。每个单独的超时
块擦除2
N
时代典型
马克斯。超时全芯片
删除2
N
时代典型
设备大小= 2字节
闪存设备接口
描述
马克斯。字节的数目
多字节写= 2
N
擦除块的数量
在设备区
擦除块区域1
信息
N
A
0
到A
6
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
DQ
0
到DQ
15
描述
擦除块区域2
信息
A
0
到A
6
31h
32h
33h
34h
35h
36h
37h
38h
39h
3Ah
3Bh
3Ch
40h
41h
42h
43h
44h
45h
DQ
0
到DQ
15
0051h
0052h
0059h
0002h
0000h
0040h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0045h
0055h
0001h
0000h
0020h
0000h
0000h
0000h
0080h
0000h
001Eh
0000h
0000h
0001h
0050h
0052h
0049h
0031h
0030h
0000h
擦除块的区域3
信息
擦除块区域4
信息
查询唯一的ASCII字符串
“ PRI ”
主要版本号， ASCII码
0000h
0000h
0004h
0000h
000Ah
0000h
0005h
0000h
0004h
0000h
0015h
0002h
0000h
0000h
0000h
0004h
0000h
0000h
0040h
0000h
副版本号， ASCII码
地址敏感解锁
0 =必填
1 =不要求
擦除挂起
0 =不支持
1 =为只读
2 =要读&写
部门保护
0 =不支持
扇区X =数在每
组
部门临时撤消
00 =不支持
01 =支持
部门保护算法
行业的行数2
00H =不支持
突发模式类型
00H =不支持
页面模式类型
00H =不支持
V
加
最小（加速）供应
46h
0002h
47h
0001h
48h
0001h
49h
4Ah
4Bh
4C
4Dh
0004h
0000h
0000h
0000h
0000h
00H =不支持
D7-4 ：伏， D3-0 ： 100 mvolt
V
加
最大（加速）供应
00H =不支持
D7-4 ：伏， D3-0 ： 100 mvolt
引导型
02H = MBM29F160BE
03H = MBM29F160TE
4Eh
0000h
4Fh
00XXh
24
