富士通半导体
数据表
DS05-20842-4E
FL灰内存
CMOS
4M （ 512K
×
8 ）位
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
特点
单一5.0 V读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的字节宽引脚
32引脚PLCC （包装说明： PD ）
32脚TSOP （Ⅰ） （封装后缀： PF）的
32针TSOP （ I） （包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）
最少100,000次写/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
每个64K字节等于8扇区大小
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
嵌入式擦除算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
低V
CC
写禁止
≤
3.2 V
扇区保护
硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
嵌入式擦除 ，嵌入式程序和ExpressFlash 是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
