SOT23封装，低功耗微处理器监控电路
带有备用电池
典型工作特性（续）
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAX6364
复位门限
与温度的关系
MAX6361 toc10
MAX6361/MAX6363/MAX6364
MAX6364
RESET进行复位传播延迟
与温度的关系
2.8
传播延迟（微秒）
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
V
OD
= 50mV的
MAX6361 toc11
1.236
阈值（ V）
1.235
1.234
-40
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
1.0
-40
-20
0
20
40
60
80
温度（℃）
引脚说明
针
名字
RESET
1
RESET
2
GND
MR
3
BATT ON
RESET IN
4
5
V
CC
OUT
功能
高电平有效复位输出（与H版本） 。 RESET仍然很高，而V
CC
低于复位门限
和至少150毫秒（叔
RP
）后V
CC
上升到高于复位门限。 RESET还称，当
MR
or
重新设置为低。
低电平有效复位输出（ L和P版本） 。
RESET
仍然很低，而V
CC
是复位门限以下
旧的和为至少150毫秒（叔
RP
）后V
CC
上升到高于复位门限。
RESET
还称，当
MR
或RESET IN是低的。
地
MAX6361
手动复位输入。低维护的逻辑
MR
触发复位信号。复位输出保持assert-
ED至少150毫秒（T
RP
）后
MR
从低转变为高。悬空或连接到V
CC
如果不使用。
MAX6363
电池上的输出。 BATT ON变为高电平电池备份模式。
MAX6364
复位输入。当复位低于1.235V ，复位有效。复位输出保持
声称只要RESET IN为低，至少150毫秒（T
RP
）复位后变为高电平。
电源电压。复位有效时， V
CC
低于复位门限电压（V
TH
） 。重置
保持有效，直到V
CC
上升超过V
TH
和至少150毫秒之后V
CC
上升超过V
TH
.
输出。从V OUT源
CC
当它大于复位阈值（V
TH
） ，并从V中的较大
CC
or
BATT当V
CC
低于V
TH
.
备份电池输入。当V
CC
低于复位门限， BATT切换到OUT若V
BATT
为20mV
大于V
CC
。当V
CC
上升为20mV以上V
BATT
, V
CC
切换到OUT 。在40mV的滞后
避免反复切换，如果V
CC
缓慢下降。
6
BATT
详细说明
该
典型工作电路
示出了一个典型的连接
重刑的MAX6361 / MAX6363 / MAX6364系列。 OUT
权力的静态随机存取存储器（ SRAM ） 。 OUT
在内部连接到V
CC
如果V
CC
大于
复位门限，或到V的更大
CC
或V
BATT
当
V
CC
小于复位阈值。输出可提供高达
从V 150毫安
CC
。当V
CC
是比V更高
BATT
中，
BATT开（ MAX6363 ）输出为低。当V
CC
低
比V
BATT
，内部MOSFET连接备份
电池输出。 MOSFET的导通电阻是
备份电池电压的函数，并显示在
电池输出导通电阻与温度的关系曲线图
该
典型工作特性
部分。
5
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