用于xDSL /电缆调制解调器的三/五路输出

电源

MAX1864/MAX1865

只） ，连接变压器，如图6 ，

其中最小匝数比由下式确定：

|

V

LDO （ NEG ）

|

+

V

SAT

+

V

二极管

N

负

≥

V

OUT

由于动力传输时的低边MOSFET导时，

用FET（ DL =高） ，变压器无法支持

重载高占空比。

缓冲设计

该MAX1864 / MAX1865采用电流模式控制

方案，该方案检测跨过高侧电流

MOSFET （N

H

） 。紧随高侧MOSFET后

已接通时， MAX1864 / MAX1865使用一个60ns的电流

租金意义消隐期，以减少噪声的敏感度。

当MOSFET导通，然而，变压器

次级电感与所述二极管的寄生capac-

itance形成导致振铃谐振电路。

通过变压器的初级反射回

侧，这些跨高侧MOSFET的振荡

可能会持续更长的时间比消隐周期。一系列RC

缓冲电路的二极管（图6）增加了

阻尼系数，使振铃快速解决。

有多个变压器绕组的应用需要

只在最大的输出电压缓冲电路。

低匝数比的应用（ 1： 1） ，如

MAX1864的典型应用电路（图1） ，可以不

需要一个缓冲curcuit 。

二极管的寄生电容可以被估计

利用二极管的反向电压额定值（V

RRM

），电流

能力（我

O

）和恢复时间（t

RR

） 。粗略

近似为：

I

×

t

C

二极管

=

RR

V

RRM

对于图6中所用的EC10QS10日本二极管，所述

电容大约是15pF的。输出缓冲器必须的

仅衰减振荡，因此初始导通尖峰

发生在消隐期间仍然预设。一

100pF的电容适用于大多数应用程序;较大

电容值需要更多的电荷，从而

增加了功率消耗。

缓冲的时间常数（T

SNUB

）必须小

比消隐时间为100ns 。一个典型的RC时间CON-

恒定的大约为30ns被选择为图6：

t

30ns

R

SNUB

=

SNUB

=

C

SNUB

C

SNUB

最小负载要求（线性稳压器）

在无负载条件下，从漏电流

旁路晶体管供给的输出电容器，即使

当晶体管关断。通常，这不是一个问

LEM由于反馈电阻当前的水渠

补票费。但是，收费可能就建立

输出电容随温度，使得V

LDO

上升

高于其设定点。必须小心，以确保

反馈电阻器“的电流超过了通转录

在整个温度补偿电阻的漏电流

范围内。

应用信息

PC板布局指南

仔细的PC板布局是至关重要的，以实现低

开关损耗和干净，稳定的运行。该

开关功率级，需要特别注意。

请遵循以下准则可获得良好的PC板布局：

1）将功率元件第一，与接地端

相邻minals （N

L

源，C

IN

, C

OUT

） 。如果可能的话，

使顶层与所有这些连接

宽，填充铜的区域。保持这些高电流

路径短，特别是在接地端子。

2 ）安装MAX1864 / MAX1865毗邻

开关MOSFET保持-LX电流检测

线， LX- GND电流限制感测线，并且所述DRI-

版本线（ DL和DH）短而宽。电流 -

感测放大器输入端连接成的

和LX ，因此必须将这些引脚连接尽可能靠近

尽可能的高侧MOSFET 。电流 -

限比较器输入端连接LX之间

和GND ，但精度并不那么重要，所以放弃

优先于高侧MOSFET的连接。该

IN， LX和GND连接到MOSFET必须

采用Kelvin检测连接到瓜拉尼进行

开球电流检测和电流限流精度。

3 ）将栅极驱动元件（ BST二极管和

电容，旁路电容）靠近

MAX1864/MAX1865.

4 ）所有的模拟接地必须做一个独立的

实心铜接地平面，它连接到所述

MAX1864 / MAX1865的GND引脚。这包括

该VL旁路电容，反馈电阻，COM的

补偿元件（R

COMP

, C

COMP

） ，以及

可调电流限制门限电阻连接 -

编到ILIM 。

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